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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开了一种渐变LQB组分的MicroLED外延结构，包括InGaNGaN多量子阱结构，所述多量子阱结构p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1‑xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1‑xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，p型GaN层上设有电子阻挡层。采用渐变n型InxGa1‑xN和p型GaN结构作为MicroLED的LQB层能够有效限制载流子，使得载流子更加匹配，在阱内复合效率更高；能够提高MicroLED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平，缓解蓝光MicroLED效率下降的问题。
主权项：1.一种渐变LQB组分的MicroLED外延结构，其特征在于：包括InGaNGaN多量子阱结构，所述多量子阱结构具有n型侧和p型侧，其中p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1-xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1-xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，所述p型GaN层上设有电子阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法
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