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申请/专利权人：星钥(珠海)半导体有限公司
摘要：本发明公开一种全彩microLED外延片制备方法，所述方法包括：在衬底晶圆上进行材料外延生长，得到双色氮化镓基LED外延片；所述双色氮化镓基LED外延片包括第一LED外延片和第二LED外延片，所述第一LED外延片的外延层和第二LED外延片的底层之间存在量子隧穿结；第一LED外延片和第二LED外延片为蓝色LED外延片、紫色LED外延片和紫外LED外延片中任意两种组合。采用本发明，能够稳定高效地制备垂直结构的全彩microLED外延片。
主权项：1.一种全彩microLED外延片制备方法，其特征在于，包括：在衬底晶圆上进行材料外延生长，得到双色氮化镓基LED外延片；所述双色氮化镓基LED外延片包括第一LED外延片和第二LED外延片，所述第一LED外延片的外延层和第二LED外延片的底层之间存在量子隧穿结；第一LED外延片和第二LED外延片为蓝色LED外延片、紫色LED外延片和紫外LED外延片中任意两种组合。
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权利要求：
百度查询： 星钥(珠海)半导体有限公司 一种全彩microLED外延片制备方法
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