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申请/专利权人：南开大学
摘要：本发明为一种本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管的制备方法。该方法首先配制不同ZnSn摩尔比的前驱体溶液；其次利用电流体打印机制备不同ZnSn摩尔比的ZTO半导体纤维作为突触晶体管的沟道；然后在经高温退火的ZTO半导体纤维上蒸镀金属电极作为源极和漏极；最后将离子胶转移覆盖在ZTO半导体纤维上作为栅极，制得本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管。本发明所采用的方法实现了ZTO半导体纤维有序排列，首次制备出本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管，为神经形态电子学和类脑计算领域的器件设计和制备提供了有益的指导。
主权项：1.一种本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管的制备方法，其特征为该方法包括如下步骤：1将待用衬底分别用去离子水、异丙醇、丙酮和无水乙醇依次超声清洗15～30分钟，然后用氮气将衬底表面吹干；2将N，N-二甲基甲酰胺作为溶剂，溶解聚乙烯吡咯烷酮、硝酸锌水合物及氯化亚锡二水合物，在20～70℃下磁力搅拌0.5～24小时，得到前驱体溶液；其中，质量比聚乙烯吡咯烷酮：硝酸锌水合物+氯化亚锡二水合物＝1:1～4，摩尔比Zn原子：Sn原子＝7:3～3:7，前驱体溶液中聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为5％～14％；3利用电流体打印设备，在衬底上将步骤2中前驱体溶液打印为ZTO半导体纤维；其中，在注射器针头上施加0.5～4.5kV的高电压，将注射器针头到基板的距离设置为0.5～20mm，注射器的出液流量设置为1～250nLmin，基板的移动速度设置为50～1000mms，基板温度设置为40～80℃，打印长度设置为0.01～20cm；4将步骤3中所打印的纤维在空气中、300～700℃下煅烧30～300min，得到ZTO半导体纤维，待温度降至室温后取出；5利用掩模板，在步骤4中获得的ZTO半导体纤维表面蒸镀金属电极，作为突触晶体管的源极和漏极；6在步骤5中样品的半导体纤维表面贴离子胶作为突触晶体管的栅极，最终制成本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管。
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权利要求：
百度查询： 南开大学 一种本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管的制备方法
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