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申请/专利权人：国际商业机器公司
申请日：2021-11-12
公开（公告）日：2023-08-15
公开（公告）号：CN116601775A
专利技术分类：..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的[2006.01]
专利摘要：提供一种场效应晶体管。该场效应晶体管包括在衬底110上的第一源极漏极、在衬底上的第二源极漏极、以及在第一源极漏极和第二源极漏极之间的沟道区130。该场效应晶体管还包括在第一源极漏极和或第二源极漏极的至少三个侧面上的金属衬里210，其中该金属衬里覆盖小于第一源极漏极和或第二源极漏极的侧壁的全部长度。该场效应晶体管还包括在金属衬里和第一源极漏极和或第二源极漏极之间的金属‑硅化物215，以及在第一源极漏极和或第二源极漏极上的金属衬里上的导电接触218，其中该导电接触是与金属衬里的导电材料不同的导电材料。在形成该源极漏极之后并在沉积该金属衬里之前，进行非晶化步骤。
专利权项：1.一种场效应晶体管，包括：在衬底上的第一源极漏极；在所述衬底上的第二源极漏极；在所述第一源极漏极和所述第二源极漏极之间的沟道区；金属衬里，位于所述第一源极漏极和或所述第二源极漏极的至少三侧上，其中所述金属衬里覆盖小于所述第一源极漏极和或所述第二源极漏极的侧壁的全部长度；金属-硅化物，位于所述金属衬里与所述第一源极漏极和或所述第二源极漏极之间；以及导电接触，所述导电接触在所述第一源极漏极和或所述第二源极漏极上的所述金属衬里上，其中所述导电接触是与所述金属衬里的所述导电材料不同的导电材料。
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