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申请/专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司
申请日：2021-07-02
公开（公告）日：2021-10-08
公开（公告）号：CN113489460A
专利技术分类：..放大器的有源元件为半导体器件（H03B 5/14、H03B 7/06优先）[2006.01]
专利摘要：本申请涉及一种RC振荡电路及RC振荡器。其中，RC振荡电路包括依次连接的偏置电路和振荡单元；偏置电路包括第一级自调整环路和第二级自调整环路；第一级自调整环路包括第一压降单元和第一负反馈电路；第一负反馈电路调整经第一压降单元处理的电源电压的电压值，输出负反馈电压；第二级自调整环路包括第二压降单元和第二负反馈电路；第二负反馈电路调整经第二压降单元处理的负反馈电压的电压值，输出用于给振荡单元供电的振荡电压。本申请简化了偏置电路结构，提高了偏置电路自调整能力，实现了低功耗高精度电压自调整振荡器目的，提高RC振荡器的输出频率精度，有利于电路集成和多场合应用。
专利权项：1.一种RC振荡电路，其特征在于，包括依次连接的偏置电路和振荡单元；所述偏置电路包括第一级自调整环路和第二级自调整环路；所述第一级自调整环路包括第一压降单元和第一负反馈电路；所述第一负反馈电路调整经所述第一压降单元处理的电源电压的电压值，输出负反馈电压；所述第二级自调整环路包括第二压降单元和第二负反馈电路；所述第二负反馈电路调整经所述第二压降单元处理的所述负反馈电压的电压值，输出用于给所述振荡单元供电的振荡电压；其中，所述第一负反馈电路包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极均连接所述第一压降单元，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的源极均连接所述第二压降单元；所述第二负反馈电路包括第三MOS管和第四MOS管；所述第三MOS管的漏极、所述第四MOS管的栅极接入所述负反馈电压，所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的源极均连接所述振荡单元；所述第一MOS管的栅极分别连接所述第二MOS管的源极、所述第四MOS管的漏极；所述第二MOS管的漏极接入所述电源电压；所述第一MOS管的源极、所述第三MOS管的源极用于接地。
百度查询： 珠海市杰理科技股份有限公司 RC振荡电路及RC振荡器
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