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申请/专利权人：盖利姆企业私人有限公司
申请日：2018-11-06
公开（公告）日：2023-08-22
公开（公告）号：CN111512451B
专利技术分类：
专利摘要：用于制造包括活化p‑Al,InGaN层的半导体器件的方法包括：在不会使p‑Al,InGaN层钝化的条件下将p‑Al,InGaN层暴露于H2和或NH3的气态成分。所述方法不包括使p‑Al,InGaN层经历在低氢或无氢环境中的单独活化步骤。所述方法可用于制造掩埋活化np‑Al,InGaN隧道结，所述隧道结可以并入到电子器件中。
专利权项：1.制造包括掩埋活化p-Al,InGaN层的半导体结构的方法，包括：a将镁掺杂的p-Al,InGaN层暴露于包括H2、NH3或其组合的气态混合物，以提供经暴露的镁掺杂的p-Al,InGaN层，其中所述气态混合物具有小于760Torr的H2的分压；以及b通过RPCVD在所述经暴露的镁掺杂的p-Al,InGaN层上生长n-Al,InGaN层，从而提供包括掩埋活化p-Al,InGaN层的半导体结构。
百度查询： 盖利姆企业私人有限公司 掩埋活化p-(Al,In)GaN层
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