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申请/专利权人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日:2022-09-23
公开(公告)日:2023-09-05
公开(公告)号:CN115369480B
专利技术分类:.控制或调节(一般的控制或调节入G05)[2006.01]
专利摘要:本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法,属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域,根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制,以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高,并且使得单晶生长界面平坦,没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
专利权项:1.一种晶棒拉晶方法,其特征在于,根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制,以通过缩小拉速波动的幅度降低晶棒出现杂质条纹的概率;具体步骤如下:步骤一:根据手动拉制晶棒的实际拉速曲线设置实际拉速上限曲线、实际拉速下限曲线;步骤二:根据实际拉速曲线及实际拉速上限曲线、实际拉速下限曲线进行晶棒拉制;步骤三:晶棒拉制结束后,根据实际拉速曲线的波动量调整晶棒的实际拉速上限曲线及实际拉速下限曲线,得到预定拉速上限曲线、及预定拉速下限曲线;步骤四:根据实际拉速曲线、预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制,并手动干预调整温度,得到预定温度曲线,然后根据实际拉速曲线、预定拉速上限曲线、预定拉速下限曲线及预定温度曲线进行晶棒拉制。
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