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摘要：本发明公开了一种改善lift‑off制程中显影截面光刻胶结构的方法，属于半导体光刻技术领域。该方法针对晶圆上涂敷负胶并曝光显影后的截面光刻胶结构改善，在曝光后烘烤工序中，采用的烘烤装置在保留原有盘面加热的基础上增加盘盖加热功能，通过改变盘面及盘盖温度可改善光刻胶结构，再进行显影工艺得到要求的截面结构，与现有技术相比，该方法在曝光后烘烤工艺中，保留盘面加热基础上增加盘盖加热功能；盘盖和盘面同时进行加热，通过控制盘面温度及盘盖温度来控制显影后光刻胶的线宽、光刻胶膜厚及截面形貌，在保证线宽、光刻胶膜厚及形貌的前提下增强了光刻胶顶端结构强度。
主权项：1.一种改善lift-off制程中显影截面光刻胶结构的方法，其特征在于：该方法针对晶圆上涂敷负胶并曝光显影后的光刻胶结构进行改善，具体包括如下步骤：1晶圆涂覆光刻胶；2晶圆前烘处理；3晶圆图形曝光；4晶圆边缘曝光；5曝光后烘烤：采用烘烤装置对晶圆进行加热，所述烘烤装置包括用于容纳晶圆的烘烤腔室，所述烘烤腔室包括盘面和盘盖，所述盘面和盘盖分别设于晶圆下方和晶圆上方并同时对晶圆进行加热；6显影。
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百度查询： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种改善lift-off制程中显影截面光刻胶结构的方法
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