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申请/专利权人:桂林电子科技大学
摘要:本发明公开了一种用于产生PIT效应的2D石墨烯超材料结构,涉及等离子体诱导透明技术领域,由相互平行的两条石墨烯条带和一个Si衬底阵列单元周期性组成;Si衬底的厚度和index分别为0.15um和3.42;石墨烯条带Strip1的长度和宽度分别为L1和W1,石墨烯条带Strip2的长度和宽度分别为L2和W2,两条石墨烯条带之间的距离为S;本发明提出的2D石墨烯超材料结构的PIT窗口的最大调制深度为96.14%;对周围介质的变化具有1.25THzRIU的灵敏度,与现有的太赫兹区域内基于PIT效应的超材料传感器相比,传感性能有了很大的提高。
主权项:1.一种用于产生PIT效应的2D石墨烯超材料结构,其特征在于,由相互平行的两条石墨烯条带和一个Si衬底阵列单元周期性组成;所述Si衬底的厚度和index分别为0.15um和3.42;石墨烯条带Strip1的长度和宽度分别为L1和W1,石墨烯条带Strip2的长度和宽度分别为L2和W2,两条石墨烯条带之间的距离为S,其中,L1=1.67L2;W1=1.3W2;0<S<0.6um。
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百度查询: 桂林电子科技大学 一种用于产生PIT效应的2D石墨烯超材料结构
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