龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体场效应晶体管及其制备方法，其中，半导体场效应晶体管包括：栅极沟槽形成于阱区内，栅极沟槽包括底部氧化层和侧壁氧化层，底部氧化层沿第一方向包括第一氧化部分和第二氧化部分，第一氧化部分与侧壁氧化层接触，第二氧化部分的厚度大于第一氧化部分的厚度；阱区越过第一氧化部分；导流层与底部氧化层接触，导流层沿第一方向包括第一导流部分和第二导流部分，第一导流部分与第一氧化部分相对，第二导流部分与第二氧化部分相对，第一导流部分的掺杂浓度低于第二导流部分的掺杂浓度。用以解决栅极沟槽底部拐角处易击穿问题，通过阱区越过栅极沟槽较薄的第一氧化部分，改善栅极沟槽拐角处电场集中效应；氧化层较厚的第二氧化部分对应的第二导流部分的掺杂浓度较高，可以有效降低导通电阻。
主权项：1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层设置于所述衬底上；阱区，所述阱区设置于所述外延层内，且位于所述外延层背离所述衬底的一侧；栅极沟槽，所述栅极沟槽形成于所述阱区内，所述栅极沟槽包括底部氧化层和侧壁氧化层，所述底部氧化层沿第一方向包括第一氧化部分和第二氧化部分，所述第一氧化部分与所述侧壁氧化层接触，所述第二氧化部分的厚度大于所述第一氧化部分、所述侧壁氧化层的厚度；沿所述栅极沟槽的深度方向，所述阱区越过所述第一氧化部分；导流层，所述导流层形成在所述外延层内，所述导流层与所述底部氧化层接触，所述导流层的导电类型与所述阱区的导电类型相反；所述导流层沿所述第一方向包括第一导流部分和第二导流部分，所述第一导流部分与所述第一氧化部分相对，所述第二导流部分与所述第二氧化部分相对，所述第一导流部分的掺杂浓度低于所述第二导流部分的掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中科新微特科技开发股份有限公司 半导体场效应晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号