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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
主权项：1.一种石墨烯器件的制备方法，其特征在于，包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，所述器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，所述第一部分图案与所述第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在所述器件图案上制备金属催化层，其中，所述金属催化层的形状与所述器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在所述金属催化层表面生长石墨烯，并使所述金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件；所述在所述器件图案上制备金属催化层，具体包括：在所述器件图案上溅射铝金属层或铜金属层或金金属层或镍金属层或钛金属层，形成所述金属催化层；在所述金属催化层为所述铝金属层的情况下，采用等离子体增强化学的气相沉积法在所述铝金属层上生长所述石墨烯；在所述金属催化层为所述铜金属层的情况下，采用化学气相沉积法在所述铜金属层上生长所述石墨烯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 石墨烯器件及其制备方法、光电探测器
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