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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：公开一种可编程光电探测器及其制备方法，利用强铁电局域极化电场对其上表面的双极性半导体分别进行P型或N型掺杂，形成PN结型光电探测器，同时结合铁电极化的非挥发存储特性，PN结的极性可通过施加不同的栅极电压实现可编程操作，从而实现高效、多功能、快速的光电探测。这种可编程光电探测器，其从下至上包括：衬底1、背栅电极a2、背栅电极b3、无机铁电层4、二维半导体沟道5以及源漏电极6。
主权项：1.可编程光电探测器，其特征在于：其从下至上包括：衬底（1）、背栅电极a（2）、背栅电极b（3）、无机铁电层（4）、二维半导体沟道（5）以及源漏电极（6）；衬底为带有氧化硅的硅材料；采用磁控溅射沉积100nm厚的金属铂Pt作为背栅电极a、背栅电极b；无机铁电层采用匀胶机旋涂无机铁电前驱体溶液得到；将CVD法制备的大面积WSe2转移至无机铁电层的上表面，通过标准光刻技术定义沟道图形，采用等离子体刻蚀技术和去胶工艺完成二维半导体沟道WSe2沟道的图形化；源漏电极的图形通过标准光刻技术，采用电子束蒸发沉积CrAu，厚度5nm50nm，结合剥离工艺获得；所述无机铁电层为PZT薄膜；所述衬底和金属铂Pt之间设置20nm厚金属钛Ti作为黏附层；所述背栅电极a、背栅电极b之间的间隔在1um以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 可编程光电探测器及其制备方法
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