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申请/专利权人：无锡芯朋微电子股份有限公司
申请日：2023-06-25
公开（公告）日：2023-10-27
公开（公告）号：CN116960192A
专利技术分类：...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种隔离电容、隔离通信电路，该隔离电容包括：P型衬底100、位于衬底之上的N型埋层101，位于N型埋层101之上的深N阱102和P阱103，位于P阱103上的第一电极107和第二电极108，位于P阱103和第一电极107之间的第一介质层112，位于第一电极107和第二电极108之间的第二介质层113。利用本发明方案，可以降低高压电容所引起的寄生电容，从而降低高压隔离电路的设计难度，提高电路的可靠性。
专利权项：1.一种隔离电容，其特征在于，包括：P型衬底100、位于衬底之上的N型埋层101，位于N型埋层101之上的深N阱102和P阱103，位于P阱103上的第一电极107和第二电极108，位于P阱103和第一电极107之间的第一介质层112，位于第一电极107和第二电极108之间的第二介质层113。
百度查询： 无锡芯朋微电子股份有限公司 隔离电容、隔离通信电路
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