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申请/专利权人：无锡华晟光伏科技有限公司;安徽华晟新能源科技有限公司
申请日：2023-09-26
公开（公告）日：2023-11-03
公开（公告）号：CN116995147A
专利技术分类：..包含非晶半导体材料的器件及器件的部件[2006.01]
专利摘要：本发明涉及太阳能电池制备技术领域，提供异质结电池的制备方法及异质结电池，异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底层；半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；第一表面具有栅线电极区；在半导体衬底层的第一表面形成图形化金属膜；图形化金属膜位于栅线电极区；对半导体衬底层的第一表面进行腐蚀处理，在半导体衬底层中形成开槽，同时在未覆盖图形化金属膜的半导体衬底层的第一表面形成若干孔洞；形成开槽的过程中，图形化金属膜朝向第二表面运动，下沉至开槽中；进行腐蚀处理后，去除图形化金属膜；在半导体衬底层的第一表面进行制绒处理。本发明的异质结电池的制备方法工艺简单、制绒速度快，提升生产效能，实现生产成本降低。
专利权项：1.一种异质结电池的制备方法，包括制绒处理，其特征在于，在进行制绒处理之前包括：提供半导体衬底层；所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；所述第一表面适于形成电池片的向光面，所述第二表面适于形成电池片的背光面；至少在所述第一表面具有栅线电极区；至少在所述半导体衬底层的第一表面形成图形化金属膜，所述图形化金属膜位于所述栅线电极区；形成所述图形化金属膜之后，至少对所述半导体衬底层的第一表面进行腐蚀处理，进行腐蚀处理的过程中，部分所述图形化金属膜形成金属颗粒，在所述金属颗粒和所述图形化金属膜的共同作用下，在所述半导体衬底层中形成开槽，同时在未覆盖所述图形化金属膜的所述半导体衬底层的第一表面形成若干孔洞；形成所述开槽的过程中，所述图形化金属膜朝向所述第二表面运动，下沉至所述开槽中；所述腐蚀处理包括氧化剂和酸性溶液；进行腐蚀处理之后，去除所述图形化金属膜；去除所述图形化金属膜之后，在所述半导体衬底层的第一表面进行制绒处理。
百度查询： 无锡华晟光伏科技有限公司 安徽华晟新能源科技有限公司 异质结电池的制备方法及异质结电池
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