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申请/专利权人：长沙安牧泉智能科技有限公司;广州安牧泉封装技术有限公司
摘要：本发明涉及电源封装技术领域，公开了一种三通道散热高集成堆叠式半桥功率模块，其包括硅体、多个金属柱、上金属板、上钼片、上芯片组件、下金属板、下钼片以及下芯片组件；金属柱沿竖直方向延伸，金属柱位于硅体内；上金属板铺设在硅体的上表面，上金属板与金属柱的顶端电相连且热传导；上钼片焊接于上金属板的上表面；上芯片组件焊接于上钼片；下金属板铺设在硅体的下表面，下金属板与金属柱的底端电相连且热传导；下钼片焊接于下金属板的下表面；下芯片组件焊接于下钼片，三通道散热高集成堆叠式半桥功率模块在工作时，上芯片组件和下芯片组件可以快速将热量传递到硅体，硅体可以迅速排走热量。
主权项：1.一种三通道散热高集成堆叠式半桥功率模块，其特征在于，包括：硅体；多个金属柱，所述金属柱沿竖直方向延伸，所述金属柱位于所述硅体内；上金属板，所述上金属板铺设在所述硅体的上表面，所述上金属板与所述金属柱的顶端电相连且热传导；上钼片，所述上钼片焊接于所述上金属板的上表面；上芯片组件，所述上芯片组件焊接于所述上钼片；下金属板，所述下金属板铺设在所述硅体的下表面，所述下金属板与所述金属柱的底端电相连且热传导；下钼片，所述下钼片焊接于所述下金属板的下表面；下芯片组件，所述下芯片组件焊接于所述下钼片。
全文数据：
权利要求：
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