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申请/专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日：2023-07-31
公开（公告）日：2023-11-07
公开（公告）号：CN117012712A
专利技术分类：...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种晶圆加工方法以及晶圆，该加工方法包括：对晶圆进行第一次激光加工，形成多个爆裂点；在第一次激光加工完成后，对晶圆进行多次激光加工，以进行热注入，其中，多次激光加工过程中的激光焦点位于第一次激光加工过程中的激光焦点之上；在多次激光加工完成之后，对晶圆进行最后一次激光加工，其中，最后一次激光加工过程中的激光输出功率大于多次激光加工中的末次激光加工过程中的激光输出功率。本发明通过对激光隐形切割晶圆进行流程设定，并通过逐渐减少激光加工功率的方式，以降低热应力的影响，从而减少裂纹横向延伸的长度，此外，通过增大激光输出能量，引起爆点指向性爆炸生长，可减少裂纹生长，进而减小晶圆划片槽的宽度。
专利权项：1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤：对所述晶圆进行第一次激光加工，形成多个爆裂点；在所述第一次激光加工完成后，对所述晶圆进行多次激光加工，以进行热注入，其中，所述多次激光加工过程中的激光焦点位于所述第一次激光加工过程中的激光焦点之上；在所述多次激光加工完成之后，对所述晶圆进行最后一次激光加工，其中，所述最后一次激光加工过程中的激光输出功率大于所述多次激光加工中的末次激光加工过程中的激光输出功率。
百度查询： 北京中科镭特电子有限公司 晶圆加工方法以及晶圆
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