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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2023-10-16
公开（公告）日：2024-01-09
公开（公告）号：CN117373904A
专利技术分类：.半导体器件或其部件的制造或处理[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种外延生长方法及外延膜，包括：在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层；使用激光束在第一外延层上切割出图形，得到图形化衬底；将图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长，得到第二外延层。该制备方法能够有效缓解衬底与外延膜之间的应力，降低外延体系的残余应力水平，从而得到高质量、低应力的外延层，并且能够抑制生长方向螺旋位错的传播，降低位错密度。
专利权项：1.一种外延生长方法，其特征在于，包括：在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层；使用激光束在所述第一外延层上切割出图形，得到图形化衬底；将所述图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长，得到第二外延层。
百度查询： 中国科学院半导体研究所 外延生长方法及外延膜
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