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申请/专利权人：西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
摘要：本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长尖晶石Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶，该方法有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点，避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷，提升了结晶质量与晶体完整性，使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级；本方法制备出的大尺寸Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶大尺寸，缺陷少，结晶质量高，能有效地应用于微波器件。
主权项：1.一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，其特征在于，其制备方法包括以下步骤：（1）根据晶体分子式Ni0.6Zn0.4Fe2O4，计算出高纯原料NiO、ZnO、Fe2O3溶质及PbF2、PbO、B2O3助溶剂的质量比例，再分别准确称量各原料放入球磨机内研磨混合均匀，其中，所述助溶剂质量比为B2O3：PbO：PbF2=1:7.5:7.7~1：8.3：8.5，所述高纯原料的纯度99.99%；（2）将步骤（1）所得球磨原料装入铂金坩埚内，再使用氩弧焊将铂金坩埚盖与铂金坩埚完全密封；（3）将步骤（2）密封铂金坩埚倒置于熔盐炉中进行缓冷生长；所述缓冷生长工艺为：以升温速率100~130℃h升至1250~1300℃，保温10~12h，再以降温速率1~1.5℃h降至生长截止温度900~950℃；（4）生长结束后，将步骤（3）所述铂金坩埚内晶体取出，放入硝酸、冰乙酸混合酸液中沸煮至助熔剂完全去除，即得尖晶石型NiZn铁氧体单晶。
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