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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，涉及微波铁氧体材料，具体提供一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法，用以解决现有低温烧结NiCuZn铁氧体基板材料存在的居里温度较低、微波磁损耗与介电损耗偏高、饱和磁化强度与介电常数偏低等缺陷；本发明以Cu掺杂的高NiZn比NiZn铁氧体作为主料，以Bi2O3‑CuO复合低共熔混合物作为辅料，二者低温共烧形成基板材料，不仅具有较低的烧结温度～900℃，同时还具有优异的微波特性：高的居里温度～302℃、低铁磁共振线宽～100Oe、低介电损耗损耗正切值～8×10‑4以及高饱和磁化强度～4959Guass，既满足了LTCC工艺要求，又具备微波铁氧体器件所需关键基板材料的优良磁性能。
主权项：1.一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料，由主料A与辅料B低温共烧而成，其特征在于：所述主料A的分子式为：Ni0.55-xCuxZn0.45O1.03Fe2O30.97，其中，0.0≤x≤0.15；所述辅料B为Bi2O3-CuO复合低共熔混合物，其中，Bi2O3的含量为42wt％，CuO的含量为58wt％；所述辅料B占主料A的质量百分比为：0.5wt％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法
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