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申请/专利权人:电子科技大学
摘要:本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域,涉及微波铁氧体材料,具体提供一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法,用以解决现有低温烧结NiCuZn铁氧体基板材料存在的居里温度较低、微波磁损耗与介电损耗偏高、饱和磁化强度与介电常数偏低等缺陷;本发明以Cu掺杂的高NiZn比NiZn铁氧体作为主料,以Bi2O3‑CuO复合低共熔混合物作为辅料,二者低温共烧形成基板材料,不仅具有较低的烧结温度~900℃,同时还具有优异的微波特性:高的居里温度~302℃、低铁磁共振线宽~100Oe、低介电损耗损耗正切值~8×10‑4以及高饱和磁化强度~4959Guass,既满足了LTCC工艺要求,又具备微波铁氧体器件所需关键基板材料的优良磁性能。
主权项:1.一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料,由主料A与辅料B低温共烧而成,其特征在于:所述主料A的分子式为:Ni0.55-xCuxZn0.45O1.03Fe2O30.97,其中,0.0≤x≤0.15;所述辅料B为Bi2O3-CuO复合低共熔混合物,其中,Bi2O3的含量为42wt%,CuO的含量为58wt%;所述辅料B占主料A的质量百分比为:0.5wt%。
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百度查询: 电子科技大学 一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法
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