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申请/专利权人：希科半导体科技(苏州)有限公司
摘要：本发明公开了一种降低外延炉开腔后水、氧和颗粒的装置及系统，其中，装置包括：装置壳体，包括与外延炉相连的第一端面和与第一端面相对的第二端面；通气管路，设在装置壳体内，且贯穿第一端面和第二端面，通气管路包括连通的第一通气槽和第一通气孔，第一通气槽靠近第一端面，第一通气孔靠近第二端面，第一通气孔上远离第一通气槽的一端与吹扫气体输送端流体连通，第一通气槽上远离第一通气孔的一端与外延炉流体连通；第一通气槽自第一端面向第二端面凹陷。吹扫气体输送端输送吹扫气体经第一通气孔和第一通气槽后，进入外延炉内，使得外延炉的反应腔的气体输送管路充盈吹扫气体，避免外延炉和空气接触造成腐蚀，保证外延炉反应腔的洁净度。
主权项：1.一种降低外延炉开腔后水、氧和颗粒的装置，其特征在于，包括：装置壳体11，包括与所述外延炉2相连的第一端面111和与所述第一端面111相对的第二端面112；通气管路12，设在所述装置壳体11内，且贯穿所述第一端面111和所述第二端面112设置，所述通气管路12包括连通的第一通气槽121和第一通气孔122，所述第一通气槽121靠近所述第一端面111设置，所述第一通气孔122靠近所述第二端面112设置，所述第一通气孔122上远离所述第一通气槽121的一端与吹扫气体输送端3流体连通，所述第一通气槽121上远离所述第一通气孔122的一端与所述外延炉2流体连通；所述第一通气槽121自所述第一端面111向所述第二端面112凹陷。
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