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申请/专利权人：星钥(珠海)半导体有限公司
申请日：2023-10-20
公开（公告）日：2024-02-23
公开（公告）号：CN117594429A
专利技术分类：...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
专利摘要：本发明提供一种晶圆键合方法、晶圆，该晶圆键合方法包括：对第一晶圆进行多个应力释放孔的加工，其中，第一晶圆包括衬底层、外延层和键合层，外延层覆盖在外延层上，键合层覆盖在外延层上，应力释放孔由第一晶圆的键合层的表面向第一晶圆的衬底层垂直延伸；将第一晶圆的键合层与第二晶圆的键合层进行键合；去除第一晶圆的衬底层。该晶圆包括衬底层、外延层和键合层，外延层覆盖在外延层上，键合层覆盖在外延层上，晶圆还设置有多个应力释放孔，应力释放孔由晶圆的键合层的表面向晶圆的衬底层方向垂直延伸，应力释放孔贯穿外延层和键合层。应用本发明的晶圆键合方法可避免晶圆键合后去除晶圆衬底时释放应力发生剥落和裂纹。
专利权项：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：对第一晶圆进行多个应力释放孔的加工，其中，所述第一晶圆包括衬底层、外延层和键合层，所述外延层覆盖在所述外延层上，所述键合层覆盖在所述外延层上，所述应力释放孔由所述第一晶圆的键合层的表面向所述第一晶圆的衬底层垂直延伸；将所述第一晶圆的键合层与第二晶圆的键合层进行键合；去除所述第一晶圆的衬底层。
百度查询： 星钥(珠海)半导体有限公司 晶圆键合方法、晶圆
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