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摘要：本发明属于电荷耦合元件技术领域，涉及一种高成品率的厚栅介质TDICCD制作方法，按照常规工艺完成厚复合栅介质、场氧、地氧化；再利用光刻套刻出轻掺杂漏和放大器源漏，利用等离子刻蚀技术将厚氮化硅减薄至常规厚度80nm，形成一个围绕垂直区的应力释放浅槽，减弱了氮化硅薄膜应力对硅片的影响，从而匹配现有的常规工艺。本发明在热过程的前半段即沟阻氧化之前在器件垂直区外制作应力释放浅槽，应力释放浅槽起到了减少热应力累积的作用，从而减少了厚氮化硅热应力累积而导致的硅片变形报废；该工艺稳定，重复性和一致性好，直流合格率稳定在60％以上，为该项目产品化提供了工艺保障。
主权项：1.一种高成品率的厚栅介质TDICCD制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在硅衬底上制作包括栅氧层和氮化硅层的复合栅介质层；S2、场氧和地氧化工艺；S3、应力释放浅槽内的氮化硅减薄：先利用光刻工艺将规划好的在复合栅介质光敏区外围围绕光敏区的应力释放浅槽区域图形化在晶圆上，再利用干法刻蚀工艺将应力释放浅槽区域内的厚氮化硅减薄，减弱氮化硅薄膜应力对硅片的影响；S4、依次进行制作埋沟、P阱、溢漏和沟阻及后续工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 高成品率的厚栅介质TDICCD制作方法
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