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申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种负反馈镇流晶体管及其制造方法，涉及半导体器件制造领域，该结构包括衬底，衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；设置于第一表面上的外延层，外延层设有若干个沟槽；设置于沟槽内的多晶硅，多晶硅包括设于沟槽底部第一多晶硅层和设于第一多晶硅层上的第二多晶硅层；源极层，源极层与沟槽交替设置；镇流电阻层，设置于源极层和第二多晶硅层上，镇流电阻层用于实现负反馈电路连接；设置于镇流电阻层上的表面金属层；设置于第二表面上的背面金属层。本申请具有保持电流平衡不出现局部热点，进而提升器件的短路耐量能力的效果。
主权项：1.一种负反馈镇流晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；设置于所述第一表面上的外延层，所述外延层设有若干个沟槽；设置于所述沟槽内的多晶硅，所述多晶硅包括设于沟槽底部第一多晶硅层和设于第一多晶硅层上的第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间设置有第一隔离层，所述第一多晶硅层的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，所述第二多晶硅层的掺杂类型与外延层的掺杂类型相反；源极层，所述源极层与沟槽交替设置；镇流电阻层，设置于所述源极层和所述第二多晶硅层上，所述镇流电阻层用于实现负反馈电路；设置于所述镇流电阻层上的表面金属层；设置于所述第二表面上的背面金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 一种负反馈镇流晶体管及其制造方法
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