龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明属于真空溅射技术领域，公开了一种基于背向沉积的磁控溅射镀膜装置和方法，真空腔体通过手动真空插板阀连接分子泵，磁控溅射源的溅射方向指向分子泵；样品杆的前端部安装基片，基片位于前端部背向于磁控溅射源一侧；真空插板阀的中心轴线、分子泵的中心轴线与靶法兰的中心轴线重合且均通过基片的中心点；这样，磁控溅射源开启状态下，调节反应气体流量后通过真空插板阀控制分子泵抽速，从而使真空腔体中的气流在流向分子泵过程中能够由样品杆的前端部实现分流，利用气流裹挟靶材粒子在基片表面实现背向沉积，从而削弱了从磁控溅射源溅射出来的靶材粒子对基片的轰击强度，保证了基片温度稳定，降低了沉积能量，提高了沉积过程的控制精度。
主权项：1.一种基于背向沉积的磁控溅射镀膜装置，包括真空腔体；其特征在于，所述真空腔体密封连接有用于通入反应气体的真空气管，所述真空气管通过直通球阀连接有气体流量计；所述真空腔体一侧焊接有第一法兰，另一侧焊接有第二法兰；所述第一法兰密封连接有靶法兰，所述靶法兰密封安装有磁控溅射源；所述第二法兰密封连接有手动真空插板阀，所述手动真空插板阀密封连接分子泵；所述磁控溅射源的溅射方向指向所述分子泵；所述磁控溅射源的数量为1-3台；所述磁控溅射源为1台时，其靶体中心与所述靶法兰的中心重合；所述磁控溅射源为2台或3台时，所述磁控溅射源以所述靶法兰的中心为中心点呈圆形阵列布置；所述真空腔体连接有样品杆，所述样品杆的前端部安装基片，所述基片位于所述前端部背向于所述磁控溅射源一侧，所述磁控溅射源的靶面与所述基片的距离不超过20cm；所述真空插板阀的法兰中心轴线、所述分子泵的泵口中心轴线与所述靶法兰的中心轴线重合，且均通过所述基片的中心点；这样，所述磁控溅射源开启状态下，所述真空插板阀控制所述分子泵抽速过程中，所述真空腔体中的气流在流向所述分子泵过程中由所述样品杆的前端部实现分流，使得气流裹挟靶材粒子在所述基片表面实现背向沉积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 一种基于背向沉积的磁控溅射镀膜装置和方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号