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摘要：一种利用Sepic升降压回路实现MOS管高低边驱动电路，该电路包括外电源BATT、开关IG_SW、电源VCC、Sepic升降压回路、稳压模块LDO、微处理模块MCU、接地端、A相MOS对管T1A、A相MOS上管T2A、A相MOS下管T3A、B相MOS对管T1B、B相MOS上管T2B、B相MOS下管T3B、C相MOS对管T1C、C相MOS上管T2C、C相MOS下管T3C以及ISG电机，本实用新型利用Sepic升降压回路实现MOS管高低边驱动，通过提供不同电源电压，分别驱动该对管上管MOS回路与下管MOS回路，从而控制ISG电机进行工作。
主权项：1.一种利用Sepic升降压回路实现MOS管高低边驱动电路，其特征在于，该电路包括外电源BATT、开关IG_SW、电源VCC、Sepic升降压回路、稳压模块LDO、微处理模块MCU、接地端、A相MOS对管T1A、A相MOS上管T2A、A相MOS下管T3A、B相MOS对管T1B、B相MOS上管T2B、B相MOS下管T3B、C相MOS对管T1C、C相MOS上管T2C、C相MOS下管T3C以及ISG电机。
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百度查询： 苏州巩诚电器技术有限公司 利用Sepic升降压回路实现MOS管高低边驱动电路
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