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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2023-11-02
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016559A
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：本发明提供能够提高基片保持部的污垢的除去效率的基片处理装置、基片处理方法和基片。基片处理装置利用处理液对基片进行处理。基片处理装置包括：处理容器；第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；旋转驱动部，其用于使所述第一基片保持部以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转；第二基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持所述基片；移动驱动部，其用于使所述第一基片保持部与所述第二基片保持部相对地移动；和控制部，其用于控制所述旋转驱动部和所述移动驱动部。所述控制部能够进行改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置来反复进行所述第一基片保持部与所述基片的接触的控制。
专利权项：1.一种基片处理装置，其为利用处理液对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：处理容器；第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；旋转驱动部，其用于使所述第一基片保持部以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转；第二基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持所述基片；移动驱动部，其用于使所述第一基片保持部与所述第二基片保持部相对地移动；和控制部，其用于控制所述旋转驱动部和所述移动驱动部，所述控制部能够进行改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置来反复进行所述第一基片保持部与所述基片的接触的控制。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和基片
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