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申请/专利权人：深圳市硅格半导体有限公司

摘要：本申请涉及数据处理的技术领域，尤其是涉及NANDFlash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质，方法包括以下步骤：当检测到出现坏块，将坏块加入坏块队列；当主控芯片的实时状态处于空闲状态时，获取所有重读阈值电压，并依次采用所述重读阈值电压对坏块队列中的坏块进行重读；当坏块中数据读取成功或主控芯片的实时状态转为非空闲状态时，结束对当前坏块的重读。本申请具有减少NANDFlash坏块数据损坏丢失的效果。

主权项：1.一种NANDFlash坏块内数据重读的方法，其特征在于，包括以下步骤：当检测到出现坏块，将坏块加入坏块队列；当主控芯片的实时状态处于空闲状态时，获取所有重读阈值电压，并依次采用所述重读阈值电压对坏块队列中的坏块进行重读；当坏块中数据读取成功或主控芯片的实时状态转为非空闲状态时，结束对当前坏块的重读；所述步骤当检测到出现坏块之后，将坏块加入坏块队列，包括：当检测到有无法正常读出数据的闪存块时，基于预设retry参数组对该无法读出数据的闪存块进行Readretry；若该闪存块Readretry失败，将该闪存块标记为坏块，且将该坏块加入坏块队列；通过以下方式获取所有重读阈值电压：以重读阈值电压中选取的经验值作为中心，向经验值四周偏移遍历获取重读阈值电压；选取经验值的方式为：先基于预设的retry参数组，对无法读出数据的闪存块进行重读，记录无法读出数据的闪存块基于预设的retry参数组进行Readretry后出错数据Bit最少的一组retry参数作为经验值；所述以重读阈值电压中选取的经验值作为中心，向经验值四周偏移遍历获取重读阈值电压，包括：以经验值为初始重读阈值电压，在重读阈值电压参数组中进行左右枚举偏移的方式遍历获取重读阈值电压；初始重读阈值电压即在空闲状态下，开始重读坏块的第一个阈值电压；以MLC颗粒为例：一个MLCWL由LP、UP两个页组成，R1、R2、R3表示MLCFlash一个Cell的三个不同读取电压寄存器值，LP读取电压阈值偏移与R2相关，UP读电压阈值偏移与R1、R3相关，每个阈值电压可调整范围为[-128,127]；对于MLCLP，如果最优阈值电压偏移R2为-52，以该点为中心，分别向左右遍历-72～-32共40个电压，遍历方式为先R2-1、R2+1、R2-2、R2+2…R2-20、R2+20，进行交替遍历retry，直到retrypass，立即启用数据搬移重写，确保数据正确读取；对于MLCUP，假设最优阈值偏移为R1,R3=-23,-16，基于该最优阈值偏移点，分别对R1、R3进行±20进行组合，以R1[-43,-3],R3[-36,4]进行全组合交替遍历retry，遍历直到retrypass，立即启请用数据搬移重写，确保数据后续均能正常被正确读取。

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