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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种基于eDRAM的高密度高可靠性存内计算电路。该电路包括：eDRAM存算电路、ADC电路、计算结果寄存器和积分器电容读取电路。在计算模式下，原始数据与eDRAM存算电路中存储的权重值完成乘累加操作，然后通过ADC电路对乘累加结果进行模数转换，转换结果存储到输出结果寄存器中。在电容读取模式下：积分器电容读取电路逐次读取eDRAM存算电路每一个基本单元的电容值。本发明通过电容充放电特性有效避免eDRAM单元泄露电流、计算非线性等问题，具有高密度、高可靠性、低功耗等优点，可用于神经形态芯片的计算内核，特别适用于对于能耗和可靠性要求较高的端侧设备中，实现大规模并行计算。
主权项：1.一种基于eDRAM的高密度高可靠性存内计算电路，其特征在于，包括eDRAM存算电路、ADC电路、计算结果寄存器、控制电路和积分器电容读取电路；所述的控制电路用于控制所述存内计算电路的工作模式，所述工作模式为计算模式或电容读取模式；所述的eDRAM存算电路包括由多个基本单元组成的阵列，eDRAM存算电路内部存有预先写入的权重；在计算模式下，所述的eDRAM存算电路根据内部存储的权重对外部输入的原始数据进行乘累加操作，并将计算结果输入到ADC电路；所述的ADC电路用于接收eDRAM存算电路的计算结果，并将计算结果转换为数字信号；所述的计算结果寄存器用于存储ADC电路转换后的计算结果；所述积分器电容读取电路用于在电容读取模式下读取eDRAM存算电路每个基本单元的实际电容值，根据实际电容值矫正计算结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种基于eDRAM的高密度高可靠性存内计算电路
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