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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明涉及表面处理技术领域，尤其涉及一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法，采用四靶磁控溅射离子镀和退火热处理两步法进行制备，具体步骤如下：S1，采用MoB2、Mo和双Al靶四靶体系在衬底材料上进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；S2，对沉积态薄膜进行退火热处理，获得具有222型MAB相结构的晶态MoAlB陶瓷薄膜。本发明采用磁控溅射离子镀及退火热处理两步法能够在低温条件下获得具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜；同时可以实现对特定成分和微观结构MoAlB薄膜的可控制备，且工艺稳定、易于实现产业化生产。
主权项：1.一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜制备方法，其特征在于，采用四靶磁控溅射离子镀和退火热处理两步法进行制备，具体步骤如下：S1，采用MoB2、Mo和双Al靶四靶体系在衬底材料上进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；沉积态薄膜的制备方式如下：S11，选择并清洗靶材和衬底材料；S12，在真空度条件下对衬底材料进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；溅射沉积时，靶材组合方式为双Al靶对置，MoB2和Mo靶对置；溅射沉积时，MoB2靶溅射功率为700W~750W，Mo靶溅射功率为150W~200W，Al靶溅射功率为300W~350W，基体负偏压为50V~90V，工件架转速为3rpm~5rpm，腔室内工作气压为6.67~12.50×10-2Pa,在腔室内真空度小于7.33×10-3Pa时，向腔室内通入惰性气体；沉积时间为0.5h~3h，腔室内温度为25℃~100℃；S2，对沉积态薄膜进行退火热处理，获得具有222型MAB相结构的晶态MoAlB陶瓷薄膜；其中，退火热处理时，温度范围为600℃~800℃，保温时间为0.5h~1h，升温速率小于5℃min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法
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