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申请/专利权人：上海兆方半导体有限公司
摘要：本发明公开一种基于CMOS工艺的嵌入式沟槽电容器及形成方法。所述嵌入式电容器包括多个深沟槽，以及置于所述深沟槽中的第一导电层、第一介电层、第二导电层、第二介电层和第三导电层的连续堆叠。所述嵌入式电容器形成于CMOS工艺中第一栅氧工艺之后，所述嵌入式电容器与CMOS共享栅氧化层、栅极、侧墙、金属硅化物、接触插塞及后端金属布线等工艺，相比传统的分立器件，所述嵌入式电容节省了工艺步骤和光罩数量，降低了制造成本，并以极短的电器互联，改善系统稳定型，提升系统集成度。
主权项：1.一种基于CMOS工艺的嵌入式沟槽电容器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：s1：提供半导体衬底，具有逻辑区和电容区；s2：在逻辑区形成浅沟槽隔离；s3：在逻辑区形成N阱和P阱；s4：逻辑区分为厚栅氧区、薄栅氧区，在厚栅氧区形成第一栅氧；s5：在电容区形成深沟槽；s6：在深沟槽侧部和底部形成第一导电层；在第一导电层和半导体衬底上形成第一介电层、第二导电层、第二介电层和第三导电层堆叠，所述第一介电层与第一栅氧组成厚栅氧，所述第一介电层同时作为薄栅氧，所述第二导电层同时作为逻辑区的栅极；s7：执行蚀刻工艺，图案化电容区的极板和逻辑区的栅极；s8：形成侧墙和金属硅化物；s9：形成金属间介质层和导电插塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海兆方半导体有限公司 一种基于CMOS工艺的嵌入式沟槽电容器及其形成方法
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