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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供了一种电镀陶瓷基板围坝制备方法及具有围坝的陶瓷基板结构，属于电子封装技术领域，制备方法包括：通过在陶瓷基板围坝位置预先激光制作一定深度的围坝盲槽，利用溅射沉积和电镀工艺制作平面陶瓷基板图形后，贴覆多层干膜并曝光固化，然后激光开槽做出围坝图形，接着电镀增厚，最终完成围坝制作。这种围坝制作方法制作的陶瓷基板结构，增大了陶瓷基板与围坝的接触面积，保证了围坝与陶瓷基板的结合力，提高气密可靠性；通过激光开槽结合一次电镀达到围坝高度，图形垂直度高，并且避免多次光刻和电镀，制作时间短，制作效率高，产品精度高。
主权项：1.一种电镀陶瓷基板围坝制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在陶瓷基板1上制作互联孔3；在所述陶瓷基板1上围绕所述互联孔3周围制作一定深度的围坝盲槽2；在所述陶瓷基板1正面和背面分别沉积金属种子层4；第一次光刻，在所述陶瓷基板1上制作出需要电镀的图形区域，同时显示出所述围坝盲槽2的位置；第一次镀铜，填充所述互联孔3，并在所述图形区域增厚铜层，填充所述围坝盲槽2至其表面到一定高度，形成围坝5的铜底层；第一研磨整平，使所述围坝5的高度与所述图形区域的镀铜层高度一致；第二次光刻，刻蚀所述图形区域的金属种子层4，处于所述围坝5位置及周围的金属种子层4被贴膜保护，避免下一道工序被腐蚀；在围坝5增厚前，在所述陶瓷基板1的正面和背面进行图形化阻焊6制作；贴膜至围坝5预设的制作高度；在围坝5的位置利用激光开设凹槽7，露出围坝图形；第二次镀铜，使围坝5的高度达到预设的制作高度；第二次研磨整平，使围坝5的表面与贴膜的表面平整；刻蚀围坝5周围剩余的金属种子层4。
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权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 电镀陶瓷基板围坝制备方法及具有围坝的陶瓷基板结构
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