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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种静电放电保护结构，其包括半导体基底以及设置在半导体基底中的第一n型阱区、p型阱区、第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及隔离结构。p型阱区与第一n型阱区相邻，第一p型掺杂区与第二p型掺杂区分别位于第一n型阱区与p型阱区之上。隔离结构的第一部分在水平方向上位于第一p型掺杂区与第二p型掺杂区之间，第一n型阱区的边缘位于第一部分之下，且第一p型掺杂区与第一n型阱区的边缘之间在水平方向上的距离小于第一部分在水平方向上的长度。
主权项：1.一种静电放电保护结构，包括：半导体基底；第一n型阱区，设置在该半导体基底中；p型阱区，设置在该半导体基底中且与该第一n型阱区相邻；第一p型掺杂区，设置在该半导体基底中且在垂直方向上位于该第一n型阱区之上；第二p型掺杂区，设置在该半导体基底中且在该垂直方向上位于该p型阱区之上；以及隔离结构，设置在该半导体基底中，其中该隔离结构的第一部分在第一水平方向上位于该第一p型掺杂区与该第二p型掺杂区之间，该第一n型阱区的边缘在该垂直方向上位于该隔离结构的该第一部分之下，且该第一p型掺杂区与该第一n型阱区的该边缘之间在该第一水平方向上的距离小于该隔离结构的该第一部分在该第一水平方向上的长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 静电放电保护结构
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