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一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器 

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申请/专利权人:南京师范大学

摘要:本发明公开了一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,包括介质基板、设于介质基板上表面的氮化硅涂层、设于介质基板上表面的GaAs差分滤波移相器电路和设于介质基板下表面的接地基板等。本发明中所提出的新型GaAs差分滤波移相器结构设计优良、工艺先进,具有高选择性、宽带滤波特性、良好的移相特性和对环境噪声的高抑制能力,可以很好地应用于6G卫星通信技术领域。

主权项:1.一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,该移相器包括氮化硅涂层31、介质基板32、接地板33、第一输入端口1、第一输出端口2、第二输入端口15、第二输出端口16,所述氮化硅涂层31位于介质基板32表面;第一输入端口1、第一输出端口2与参考传输线连接;第二输入端口15、第二输出端口16主传输线连接,在俯视图视角下,主传输线位于介质基板32的上半侧,参考传输线位于介质基板32的下半侧,主传输线和参考传输线均关于介质基板32长对称轴对称,并且,各个部件都位于氮化硅涂层31之上,接地板33位于介质基板32下表面,第一输入端口1、第一输出端口2、第二输入端口15、第二输出端口16分别与接地柱连接,并且,接地柱贯穿介质基板32与接地板33相连。

全文数据:

权利要求:

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