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申请/专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
摘要：本发明公开一种单一原料合成AlON粉体的方法，以单一铝源通过水解合成含有Al源或AlN源和AlxOyHz源的复合前驱体物质，再结合铝热直接氮化法或固相反应法合成纯相AlON粉体。本发明的AlxOyHz源是基于原料粉体表面水解或热解得到且尺寸在纳米范围的具有包覆结构的复合前驱体物质，提高了原料的接触面积和混合均匀度，缩短反应物扩散路径，有效抑制中间产物的局部烧结和汇聚长大，合成粉体粒径约50nm，显著降低了粉体的合成温度，有效避免了两相或以上原料粉体比例不易控制且混合不均匀，导致合成的AlON粉体成分不均匀。本发明简化了合成工艺流程，降低了生产成本，提高了粉体合成质量。
主权项：1.一种合成AlON粉体的方法，其特征在于，包括将单一铝源进行水解反应得到具有包覆结构的复合前驱体，然后经高温煅烧制备得到所述AlON粉体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 中国科学院福建物质结构研究所 一种单一原料合成纳米AlON粉体的方法
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