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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明提供了一种量子芯片及其制备方法。量子芯片包括衬底、超导量子比特、偏置层和激励层。超导量子比特设置在衬底上，超导量子比特包括并联两个约瑟夫森结。两个约瑟夫森结中的至少之一包括第一超导层；第二超导层与第一超导层在高度方向上形成间隙，间隙作为势垒层；偏置层设置在衬底上，与超导量子比特耦合，用于传输来自外部的磁通偏置电压，磁通偏置电压用于调控超导量子比特的频率，使超导量子比特处于工作频率。激励层设置在衬底上，与超导量子比特耦合，用于传输自外部的微波脉冲，微波脉冲用于在工作频率下，驱动超导量子比特，调控超导量子比特的量子态。
主权项：1.一种量子芯片，其特征在于，包括：衬底；超导量子比特，设置在所述衬底上，所述超导量子比特包括两个并联的约瑟夫森结，两个所述约瑟夫森结中的至少之一包括：第一超导层；以及第二超导层，与所述第一超导层在高度方向上形成间隙，所述间隙作为势垒层；偏置层，设置在所述衬底上，与所述超导量子比特耦合，适用于传输来自外部的磁通偏置电压，所述磁通偏置电压适用于调控所述超导量子比特的频率，使所述超导量子比特处于工作频率；以及激励层，设置在所述衬底上，与所述超导量子比特耦合，适用于传输来自外部的微波脉冲，所述微波脉冲适用于在所述工作频率下，驱动所述超导量子比特，使所述超导量子比特的能级跃迁，调控所述超导量子比特的量子态。
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权利要求：
百度查询： 天津大学 量子芯片及其制备方法
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