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申请/专利权人：同和电子科技有限公司
摘要：提供一种考虑到被照射物体的显色性的深紫外发光元件。根据本发明的深紫外发光元件依次具有由III族氮化物半导体构成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述深紫外发光元件的发光光谱在200nm以上且350nm以下的波长区域具有一次发光峰波长，将设所述一次发光峰波长的发光强度为100％时的二次发光的发光强度作为相对发光强度，所述发光光谱进一步具有：在430～450nm的整个波长区域中具有0.03～10％的相对发光强度的蓝紫色的二次发光成分、和在540～580nm的整个波长区域中具有0.03～10％的相对发光强度的黄绿色的二次发光成分，波长435nm处的发光强度相对于波长560nm处的发光强度之比为0.5～2。
主权项：1.一种深紫外发光元件，其特征在于，其是依次具有由III族氮化物半导体构成的n型半导体层、发光层和p型半导体层的深紫外发光元件，所述深紫外发光元件的发光光谱在200nm以上且350nm以下的波长区域具有一次发光峰波长，将设所述一次发光峰波长的发光强度为100％时的二次发光的发光强度作为相对发光强度，所述发光光谱进一步具有：在430～450nm的整个波长区域中具有0.03～10％的相对发光强度的蓝紫色的二次发光成分、和在540～580nm的整个波长区域中具有0.03～10％的相对发光强度的黄绿色的二次发光成分，波长435nm处的发光强度相对于波长560nm处的发光强度之比为0.5～2。
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百度查询： 同和电子科技有限公司 深紫外发光元件
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