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半导体装置 

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申请/专利权人:三菱电机株式会社

摘要:向自举电容39供给充电电流的半导体装置具有半导体层1、N+型扩散区域5b及N型扩散区域2、P+型扩散区域4a及P型扩散区域3a、N+型扩散区域5a、源极电极10b、漏极电极10c、背栅极电极10a、栅极电极9a。N+型扩散区域5b及N型扩散区域2与自举电容39的第1电极电连接。电源电压Vcc供给至N+型扩散区域5a。源极电极10b与第3半导体区域N+型扩散区域5a连接且被供给电源电压。背栅极电极10a连接至与N+型扩散区域5a分离的区域,并且接地。源极电极10b与背栅极电极10a之间的耐压大于电源电压。

主权项:1.一种半导体装置,其向充电对象元件供给充电电流,该半导体装置具有:第1导电型的半导体层;第2导电型的第1半导体区域,其与所述充电对象元件的第1电极电连接,形成于所述半导体层的主表面;第1导电型的第2半导体区域,其在所述半导体层的主表面形成于与所述第1半导体区域相邻的位置;所述第2导电型的第3半导体区域,其被供给电源电压,形成于所述第2半导体区域的表面;源极电极,其与所述第3半导体区域连接并且被供给所述电源电压;漏极电极,其与所述第1半导体区域连接并且与所述第1电极电连接;背栅极电极,其连接至所述第2半导体区域的与所述第3半导体区域分离的区域,并且接地;以及栅极电极,其以隔着栅极绝缘膜与沟道区域相对的方式配置,该沟道区域位于所述第3半导体区域与所述第1半导体区域之间的所述第2半导体区域,所述源极电极与所述背栅极电极之间的耐压大于所述电源电压,所述半导体装置具有所述第2导电型的第4半导体区域,该第4半导体区域在所述第2半导体区域将所述第3半导体区域的周围包围,并且将所述第3半导体区域与所述第2半导体区域隔离,所述第4半导体区域从所述第3半导体区域的周围延伸至所述第2半导体区域的与所述第1半导体区域相对并且与所述第1半导体区域分离的区域,所述沟道区域是所述第2半导体区域的位于所述第4半导体区域与所述第1半导体区域之间的区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱电机株式会社 半导体装置

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