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申请/专利权人：恩智浦有限公司
摘要：一种半导体装置包括半导体衬底、集电极区以及本征基极区，所述集电极区具有第一宽度、形成在所述半导体衬底内，所述本征基极区具有第二宽度、安置在所述集电极区上方，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。具有上部表面的非本征基极区形成在所述集电极区上方并且电耦合到所述本征基极区，其中所述非本征基极区包括耦合到所述本征基极区的单晶区和耦合到所述单晶区的多晶区。发射极区形成在所述基极区上方。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；集电极区，所述集电极区具有第一宽度、形成在所述半导体衬底内，所述集电极区具有上部表面和集电极侧壁；本征基极区，所述本征基极区具有第二宽度、安置在所述集电极区上方，其中所述第一宽度大于所述第二宽度；非本征基极区，所述非本征基极区具有上部表面并且形成在所述集电极区上方并且电耦合到所述本征基极区，其中所述非本征基极区包括耦合到所述本征基极区的单晶区和耦合到所述单晶区的多晶区；以及发射极区，所述发射极区形成在所述本征基极区上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦有限公司 具有带有单晶区的非本征基极区的半导体装置及其方法
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