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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明公开了一种沟槽型半超结器件，包括：在组成底部耐压层的第一外延层和超结主体层之间形成有超结缓冲层，超结缓冲层的第一导电类型薄层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度，超结主体层的第二导电类型柱填充于超结沟槽中，各超结沟槽的深度大于第一导电类型柱对应的第三外延层，超结缓冲层的第二导电类型薄层和第二导电类型柱相叠加，第二导电类型薄层用于吸收超结沟槽的深度波动，从而改善半超结结构的耐压的均一性；第二外延层的厚度根据第二导电类型薄层吸收超结沟槽的深度波动的要求进行设置。本发明还提供一种沟槽型半超结器件的制造方法。本发明能改善较深的超结沟槽的深度波动对器件耐压的不利影响，从而改善器件的耐压均一性。

主权项：1.一种沟槽型半超结器件，其特征在于，包括：由具有第一导电类型掺杂的第一外延层组成的底部耐压层；形成于所述第一外延层表面的具有第一导电类型掺杂的第二外延层，在所述第二外延层的选定区域中形成有第二导电类型薄层，由所述第二导电类型薄层之间的所述第二外延层组成第一导电类型薄层，由所述第一导电类型薄层和所述第二导电类型薄层交替排列组成超结缓冲层；所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；形成于所述超结缓冲层表面的具有第一导电类型掺杂的第三外延层，在所述第三外延层的选定区域中形成有超结沟槽，在所述超结沟槽中填充有第二导电类型柱，由所述第二导电类型柱之间的所述第三外延层组成第一导电类型柱，由所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排列形成超结主体层；所述第三外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；各所述超结沟槽位于对应的所述第二导电类型薄层的顶部，各所述第二导电类型柱和对应的所述第二导电类型薄层相叠加，由所述超结缓冲层和所述超结主体层叠加形成超结耐压层；由所述底部耐压层和所述超结耐压层叠加形成半超结结构；各所述超结沟槽的深度大于所述第三外延层的厚度，各所述超结沟槽之间具有由于工艺波动所产生的深度波动，所述第二导电类型薄层用于吸收所述超结沟槽的深度波动，从而改善所述半超结结构的耐压的均一性；所述第二外延层的厚度根据所述第二导电类型薄层吸收所述超结沟槽的深度波动的要求进行设置。

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