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申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
摘要：本发明提供一种功率器件的形成方法及功率器件，所述功率器件包括分离栅，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺杂浓度；S3、去除除了位于所述槽的侧壁以外的多晶硅；S4、热氧化形成多晶硅间隔氧化层。其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的浓度不同。本发明的方法可以保证台面不被氧化消耗，同时氧化出栅氧和符合要求的多晶硅间隔氧化层。
主权项：1.一种功率器件的形成方法，所述功率器件包括分离栅，其特征在于，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺杂浓度；S3、去除除了位于所述槽的侧壁以外的多晶硅；S4、热氧化形成多晶硅间隔氧化层；其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的浓度不同；所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度的浓度；在步骤S1中，所述分离栅多晶硅为掺杂磷；在步骤S2中，所述多晶硅未掺杂杂质离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种功率器件的形成方法及功率器件
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