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申请/专利权人：ASMIP控股有限公司

摘要：本发明涉及一种基板机架和一种用于在反应室中处理基板的基板处理系统。所述基板机架可以用于在所述反应室中引入多个基板。所述基板机架可以具有多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述基板。所述机架可以具有照明系统，以将具有100至500纳米范围的辐射照射到所述基板的顶表面上。

主权项：1.一种包括照明系统的基板机架，所述基板机架被构造成用于在基板处理系统的反应室中保持多个基板，所述基板机架包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板和多个可移除的照明装置，其中所述多个照明装置被构造和布置成将具有100至500纳米范围的紫外辐射辐射到在所述基板保持装置中保持的所述基板中的至少一个的顶表面上，其中每个照明装置由所述基板保持装置独立且可移除地支承，由此基板保持装置提供定位所述多个基板和所述多个照明装置的通用性；其中所述照明系统包括设置在所述机架上的多个照明装置，并且每个照明装置具有在所述机架上的专用基板保持装置，以将所述基板中的一个的所述顶表面保持在所述照明装置的所述辐射中，其中所述专用基板保持装置被配置成将所述多个照明装置绕其周界保持。

全文数据：基板机架以及基板处理系统和方法技术领域本发明大体上涉及一种基板机架，以及一种基板处理系统和方法。更具体地，本发明涉及一种基板机架，所述基板机架被构造成在基板处理方法期间在基板处理系统的反应室中保持多个基板。所述基板机架可以包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板。背景技术充当反应器的炉子可用作反应室以在基板上产生精细尺寸结构，例如集成电路。例如硅晶片的若干基板可以放置在基板固定器上，例如基板机架或舟皿上，并在反应器内部移动。在后续基板处理步骤中，可以对基板加热。另外，可以使反应物气体在基板上方通过，使得在待处理的基板上沉积反应物材料或气体的反应物的薄层。基板上的一系列处理步骤被称为配方。如果沉积层具有与下面的硅基板相同的晶体结构，则其称为外延层。其有时也称为单晶层，因为可能具有一种晶体结构。通过后续沉积、掺杂、光刻、蚀刻和其它工艺，这些层被制成集成电路，产生数十到数千或甚至数百万个集成装置，这取决于基板大小和电路复杂性。仔细控制各种工艺参数以确保所得层的高质量。一个此类关键参数是在每个配方步骤期间的基板温度。例如，在CVD期间，沉积气体在特定温度窗口内反应并沉积在基板上。不同温度导致不同沉积速率和质量。因此，重要的是，在反应处理开始之前准确地控制基板温度以使基板达到所需温度。基板可以包括对温度敏感的特征，因此可以将温度限于某个最大值以避免损坏那些敏感特征。对于某些工艺，在基板表面处可能需要能量。如果这种能量以热量的形式提供，则可能导致相反的要求，其中对于生产率、质量和或反应性，温度应较高，同时为了避免损坏基板上的特征，温度应保持较低。发明内容因此，可能需要向反应室中的多个基板的表面提供能量。根据本发明的至少一个实施例，可以提供一种基板机架。所述基板机架可以被构造成用于在基板处理系统的反应室中保持多个基板。所述基板机架可以包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板。所述基板机架可以包括照明系统，所述照明系统被构造和布置成将具有100至500纳米范围的紫外辐射辐射到由所述基板保持装置保持的所述基板中的至少一个的顶表面上。通过用紫外辐射照射基板的表面，可以向顶表面提供能量。所述照明系统可以被构造和布置成辐射具有100至500、优选地150至400、并且甚至更优选地170至300纳米范围的紫外辐射。所述基板机架的所述间隔开的基板保持装置可以被配置成独立地以特定取向保持基板。根据本发明的另一个实施例，可以提供一种基板处理系统，其包括：反应室，其被构造和布置成用于处理机架中的多个基板；以及机架处理器，其用于将所述机架移动到所述反应室中。所述机架可以包括照明系统，所述照明系统被构造和布置成将具有100至500纳米范围的紫外辐射从辐射输出表面辐射到由所述基板保持装置保持的所述基板中的至少一个的顶表面上。所述机架可以包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板。根据又另一个实施例，提供一种基板处理方法，其包括：在基板机架中提供多个基板，所述基板机架包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板；在反应室中移动具有基板的所述机架；以及将具有100至500纳米范围的紫外辐射从设置在所述机架上的照明系统照射到所述基板机架中保持的所述基板中的至少一个的顶表面。所述方法可以包括经由入口将流体提供到所述反应室中。可以使用所述流体在所述基板上沉积层。替代地，可以使用流体来改进所述辐射透射或反射表面的透射率。所述流体可以是用于氧化沉积在所述辐射透射或反射表面上的层以改进所述辐射透射或反射表面的透射率的氧化流体。所述流体可以是蚀刻流体，以便蚀刻掉沉积在所述辐射透射或反射表面上的层以改进所述辐射透射或反射表面的透射率。为了总结本发明和相对于现有技术所获得的优点，本文已经在上面描述了本发明的某些目的和优点。当然，应理解，未必所有此类目的和优点都可以根据本发明的任一特定实施例来实现。因此，例如，本领域的技术人员将认识到，本发明可以按实现或优化如本文中所教示或建议的一个优点或一组优点，但不一定实现如本文中可能教示或建议的其它目的或优势的方式来实施或进行。所有这些实施例都意欲在本文中所公开的本发明的范围内。本领域的技术人员根据以下参照附图的某些实施例的详细描述将清楚这些和其它实施例，本发明不限于所公开的任何特定实施例。附图说明应当理解，图中的元件仅为简单及清晰起见而进行说明，且未必是按比例绘制。例如，图中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件夸大，以有助于增进对本公开所示实施例的理解。图1示出了根据实施例的具有基板机架的基板处理系统的透视图；图2示出了根据图1的系统的平面俯视图；以及图3A、3B和3C示出了基板机架的透视图，所述基板机架具有根据第一实施例A和第二实施例B用照明系统照明的基板。具体实施方式尽管下文公开了某些实施例和实例，但本领域的技术人员将理解，本发明延伸超出了本发明具体公开的实施例和或用途以及其明显的修改和等效物。因此，希望所公开的本发明的范围不应受下文所描述的特定公开的实施例的限制。根据实施例的具有基板机架的基板处理系统可在图1和2中指示。所述系统可以并入包括外壳2的设备1中，并且一般可以部分地或完全地安装在所谓的“无尘室”中。除了外壳2之外，可以存在隔板3、4和5，特别是从图2中可以看出。外壳2可以与隔板3一起界定反应区域21。基板处理室22可以界定在外壳2与隔板3、4之间。盒处理室23可以界定在隔板4和5与外壳2之间。设备1可以进一步包括盒引入部分33。两个反应室6、7可以布置在反应区域21中，当然，也可以使用单个反应室。所述反应室可以竖直放置，并且填充有基板13的基板机架12，例如半导体晶片，可以从下方沿竖直方向移动到反应室6、7中。基板机架12可以包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持多个基板13。基板机架12可以在底部支撑在绝缘塞上，所述绝缘塞提供相对于反应室6、7的密封。每个反应室6、7可以具有包括插入臂14的机架处理器，所述插入臂可借助于主轴38在竖直方向上移动以将基板机架12引进反应室。在图2中，指示在设备的两侧可存在两个插入臂14。反应室可以被称为炉子并且可以设置有对基板加热的加热器。机架处理器还可以包括布置在反应区域21中的设置有切口15的旋转平台11。所述切口15可以成形为使得如果切口15已经被带入正确位置，则臂14能够向上和向下移动通过切口。另一方面，基板机架的底部的直径可以使得所述直径大于平台11中的切口15，使得当臂14从图1所示的位置向下移动时，基板机架12可以放置在旋转平台11上，并且可以在反向操作中再次从其中移除。基板机架12可以用机架处理器馈送到反应室6和7两者。可以在其中执行连续的处理。还可以允许平行的多组基板机架12仅由反应室6处理以及仅由反应室7处理。所述基板机架12可以设置有基板13。系统包括旋转装置，所述旋转装置用于使具有基板13的机架12围绕反应室6、7中的竖直轴线旋转以改进处理的均匀性。基板13可以被供应到传送盒10中，所述盒可以从盒引入部分33借助于盒处理机器人35的臂31通过可闭合开口34放置在存储器8中。臂31可以设置有支承表面32，所述支承表面的尺寸略小于旋转平台27中的一系列切口26的尺寸。多个此类旋转平台可以在存储器8中沿竖直方向一个在另一个之上设置。臂31可以借助于盒处理机器人35在竖直方向上移动。臂31可以被安装成使得所述臂不仅能够将盒从引入部分33拾取到存储器8或将盒从存储器8取出到引入部分33，还可以使盒从存储器8移动到旋转平台30或从旋转平台30移动到存储器8。所述旋转平台30可以被构造成使得在旋转时将盒靠隔板4放置，在所述隔板中已经形成开口37，使得在打开盒之后，可以借助于基板处理器的臂24从相关的盒中一个接一个地取出基板，并且可以将基板放置在位于基板处理室22中的基板机架12中。所述基板机架12由铰接臂16支撑，所述铰接臂是机架处理器的一部分并且在端部设置有支承表面17，所述支承表面17的尺寸略小于旋转平台11的切口15的尺寸。所述臂16可能够通过围绕旋转点18旋转而与基板机架一起移动通过隔板3中的可闭合开口。可以提供封闭件，以便能够闭合反应区域21与基板处理室22之间的开口19。操作员或自动盒传送系统未示出可以通过在引入部分33上引入多个盒来加载存储器8。控制操作可以在面板36上完成。盒10可以借助臂31从引入部分33转移到为存储器8中的这些盒制成的存储隔室9中。从用于通过开口34从部分33中移除相关盒10的最低位置开始，所述盒可以向上移动，以通过盒处理机器人35移动到存储器8的较高隔室9中。通过存储器8的旋转，可以用盒10填充各个隔室9。有关的盒10可以通过臂31从存储器移除并放置在旋转平台30上。盒在旋转平台30上旋转，并通过使其门靠在隔板4上而放置。盒的门可以用开门器移除。借助于臂24，可以逐个基板地移除基板，并将基板放置在基板机架12中，基板机架12与基板处理器一起放置在摆动臂16上。与此同时，旋转平台11可能够以关于对反应区域21内存在的基板进行的处理的最佳方式在反应区域21中移动。在已将基板机架12填充到基板处理室22中并且可以使其可用于反应室6、7中的一个之后，打开到此时一直关闭的开口19，并且所述新近填充的基板机架12可以放置在旋转平台11上。然后，所述旋转平台11可以移动一个位置，并且可以借助于插入臂14将填充的基板机架12从平台11移除到反应室6、7中。成品机架中的经处理的基板可降低到所述装填平台11上。所述基板执行与上述相反的移动以最终进入盒中。具有新近填充的基板的基板机架12可以通过插入臂14馈送到反应室6或7，并且可以在所述室中进行处理。可以在反应室6、7中进行连续处理。如所描绘的，设备可以具有两个反应室6、7，但是设备也可以具有一个反应室或三个或更多个反应室而不脱离本发明的范围。处理可以包括用加热器增加基板机架12中的基板温度。升高的温度可能是获得正确反应性所必需的。因此，重要的是，在开始处理以获得正确反应性和生产率之前，准确地控制基板温度以使基板达到所需温度。此外，基板可以包括对温度敏感的特征，因此可以将温度限于某个最大值以避免损坏那些敏感特征。这可能导致相反的要求，其中对于反应性而言，基板的温度要求可能较高，同时为了避免损坏基板上的温度敏感特征，可能限制基板的温度要求。图3A和3B了示出具有基板13的基板机架12的横截面。基板机架12可以包括通过支柱43连接到底板45的顶板41。可以向支柱43提供多个间隔开的基板保持装置47，其被配置成以间隔关系保持多个基板13。通常，可以在支架12中提供2至4个支柱，并且可以提供10至200个基板保持装置47以保持基板13。机架12可以在底部处由绝缘塞49支撑，所述绝缘塞提供相对于反应室6、7的密封。基板机架12可以设置有照明系统，所述照明系统被构造和布置成将具有100至500纳米范围的紫外辐射辐射到在基板保持装置47中保持的基板13中的至少一个的顶表面上。所述照明系统可以被构造和布置成辐射具有100至500、优选地150至400、并且甚至更优选地170至300纳米范围的紫外辐射。机架12的基板保持装置47可以被构造和布置成保持基板中的至少一个的顶表面与照明系统的辐射输出表面相对，以便将紫外辐射辐射到基板中的至少一个的顶表面上。通过用紫外辐射照射基板的顶表面，可以针对某些工艺向顶表面提供能量能量可以提高顶表面上的反应性。可以在不使基板过热的同时实现反应性的这种提高，使得基板上的温度敏感特征不会被损坏。反应性的提高可以引起沉积层的更好质量和或设备的更高生产率。它还可能使得某些过程在之前由于反应性为零而不可能的温度下变得可能。照明系统可以包括设置在机架12上的多个照明装置51。每个照明装置51可以在机架上具有专用基板保持装置47，以将基板中的一个的顶表面保持在照明装置的辐射中。从电磁波类似UV到基板的顶表面的能量转移同垂直于基板顶表面的轴线与辐射方向之间的角度成比例。因此，照明装置可以被构造和布置成在基板的顶表面上在与垂直于基板的顶表面的轴线成0至60度、优选地0至45度、更优选地0至30度、并且最优选地0至15度的方向上引导辐射。此外，可能难以将方向指向可能形成在基板顶表面上的微结构中的深沟槽。在与垂直于基板的顶表面的轴线成较小角度的方向上的辐射可以增加辐射到深沟槽中的耦合。提供到机架12的专用基板保持装置47可以被配置成将一个基板保持在两个照明装置之间。照明装置51可以具有大体上板形状，其具有顶表面和背表面。背表面可以包括辐射输出表面。照明装置51可以在平行于基板表面的方向上具有与基板13基本上相同的大小。图3C描绘了图3A的照明装置51的放大图。照明装置51可以设置有照明源53、55。一些照明源53可以将紫外辐射照射到基板机架12中的基板中的至少一个的顶表面上。照明源53包括第一发光二极管，用于照射100至500、优选地150至400、并且甚至更优选地170至300纳米范围内的紫外辐射。其它照明源55包括第二发光二极管，用于照射700纳米至1毫米范围内的红外辐射以对基板加热。在图3B中，照明装置51设置有照明源53，所述照明源仅包括用于照射100至500纳米范围内的紫外辐射的第一发光二极管。图3B中的加热功能通过设置有加热线圈51的加热器实现。除了加热功能之外，图3A和图3B是相同的并且彼此结合起作用，使得图3B充当图3A的下部部分，且反之亦然。机架12可以设置有可连接到电源V的电力连接57。机架可以例如具有电力连接器。电力连接器可以具有插头和插座连接。照明系统可以是有源的并且被构造和布置成从电力产生辐射并将辐射引导至基板。照明装置51可以包括气体放电灯或发光二极管，以从电力产生辐射。气体放电灯通过在两个电极之间通过电离气体例如管中的等离子体放电来产生辐射。此类灯可以在管中的混合物中使用惰性气体，例如氩气、氖气、氪气和氙气或其混合物，并且另外甚至可以使用汞、钠和金属卤化物。可以通过在两个电极仅描绘了一个电极45之间施加的电场迫使电子在阳极附近留下气体原子，从而使这些原子正离子化。自由电子流向阳极，而阳离子流向阴极。离子可与中性气体原子碰撞，中性气体原子将其电子转移到离子上。在碰撞过程中损失电子的原子离子化并朝向阴极加速，而在碰撞过程中获得电子的离子返回到较低能量状态，同时以在基板的基板顶表面的方向上发出的辐射的形式释放能量，以将其能量转移到顶表面中。机架12可以设置有无源照明装置，其被构造和布置成将辐射从机架外部引导至基板。照明源的有源组件可以设置在设备中的反应室外部，并将辐射引导至设置在机架中的无源照明装置。反应室中的无源组件对于反应室中的热和反应性环境可能不及有源组件敏感。无源照明装置可以包括光波导，以将辐射引导至基板。光波导引可以是光纤。光波导引件可以是中空的。无源照明装置可以设置有辐射反射表面以将紫外辐射引导至基板。辐射反射表面可以包括反射镜以将辐射重新引导至基板。辐射反射表面可以由玻璃、钢、铝或聚四氟乙烯PTFE制成以反射紫外辐射。辐射反射表面可以具有倒置圆锥形状，以将紫外辐射从机架的侧面向下反射到基板表面。辐射反射表面可以包括散射板，以将辐射散射到基板。机架12可以设置有气体供应系统，用于在辐射透射或反射表面上提供气流。以此方式，可以避免污染物在辐射透射或反射表面上的沉积。照明系统可以包括多个部分以将紫外辐射从多个侧照射到基板机架中的基板。用于照明基板表面的照明系统可以具有5W与100kW之间、优选地300W与20kW之间且甚至更优选地1与10kW之间的功率。用于照明基板表面的照明装置可以具有在0.05与150W之间、优选地1W与60W之间且甚至更优选地4与50W之间的功率。照明系统在电能转换为紫外辐射时可具有50％与90％之间的效率。基板表面可以接收0.1与200毫瓦mWcm2之间、优选地1与100mwcm2之间且甚至更优选地5与80mWcm2之间的功率。机架12可以具有50与200cm之间的长度，且可以具有20与50cm之间、优选地大约30cm的宽度。机架12可以具有沿着支柱的最大介于20与120个之间、优选地介于40与80个之间的间隔开的基板保持装置，以用于保持相等量的基板。机架12可以设置有20与130个之间、优选地40与80个之间的照明装置51。基板13与机架12中的照明装置51之间的距离可以在4至20mm之间，优选地5至10mm之间。设备可以设置有至少一个流体入口59。流体入口59可体现为在反应室内的喷射器以用于将流体提供到反应室中。可以通过入口59提供净化或处理气体。设备可以设置有流体系统，所述流体系统包括控制系统，用于控制阀以用于经由入口在反应室中提供例如处理或净化气体等流体。可以从流体存储装置或气体管线接收流体。控制系统和阀可被构造和布置成处理基板。更具体地说，控制系统和阀可被构造和布置成在基板上用存储于流体存储装置中的第一和或第二前体执行原子层沉积ALD或化学气相沉积CVD循环。设备可以设置有流体出口61以从反应室6、7移除气体。紫外辐射可用于沉积或致密化原子ALD层、化学气相沉积CVD层或其它层。当在反应室6、7中沉积例如硅或氮化硅的层时，当沉积材料的厚度在辐射透射表面的顶部上累加时，可能会通过吸收而降低紫外辐射系统的效率。对辐射透射表面进行净化可以在一定程度上缓解此问题。可能需要用蚀刻气体进行补充的周期性原位清洁以清洁照明装置51的辐射透射或反射表面。设备可以包括蚀刻系统。蚀刻系统可以包括流体存储装置、控制系统和阀。控制系统可以设置有程序，当程序在控制系统上运行时能改进在层沉积于辐射透射或反射表面上之后辐射透射或反射表面的透射率。蚀刻流体可以存储在蚀刻系统的流体存储装置中。控制系统可以控制阀，用于经由入口59在反应室6、7中提供蚀刻流体。控制系统可以控制阀以在反应室中提供蚀刻流态物，即蚀刻剂，以便蚀刻掉沉积在辐射透射或反射表面上的层从而改进表面的透射率。蚀刻流体可以是氯化物Cl2、氯化硼BCl3、氯化氢HCl、四氟甲烷CF4、三氟化氮NF3、溴化氢HBr、六氟化硫SF6，或由紫外辐射与氢气或氧气组合形成的灰化组分，包括例如氢气或氧气等气体。用蚀刻气体周期性原位清洁也可以用作净化辐射透射或反射表面的替代方案，这可以简化设备的设计。通过在氧化环境中的热处理将硅或氮化硅层周期性地转化为氧化硅，辐射透射表面或反射表面还可以形成为透射或反射以进行照明辐射。设备可以包括转换系统。转换系统可以包括流体存储装置、控制系统和阀。控制系统可以设置有程序，当程序在控制系统上运行时能改进在层沉积于辐射透射或反射表面上之后辐射透射或反射表面的透射率。含氧的流体，例如氧气O2、臭氧O3、过氧化物H2O2、水H2O或一氧化二氮N2O可以为此目的存储在液体存储装置中。控制系统可以控制阀用于经由入口59在反应室6、7中从流体存储装置提供氧化流体，以及控制反应室的加热。在将硅或氮化硅层转化为氧化硅之后，氧化硅可以透射UV并且可能不需要原位清洁。用氧化气体周期性原位转化也可以用作净化辐射透射或反射表面的替代方案，这可以简化设备的设计。基板13可以定位在具有三个支柱43的基板机架12中，所述三个支柱包括被配置成以间隔开的关系保持多个基板13的多个间隔开的基板保持装置47。支柱43可以是伸长的且在基本上垂直于基板表面的方向上延伸，例如，在竖直方向上延伸。多个基板可以平行于基板机架12定位。顶板41和底板45可以在水平方向上平行于基板延伸。替代地，机架12可以填充有待与可移除照明装置51交替地处理的基板，所述可移除照明装置51也定位在机架中。可移除照明装置可以例如具有其自身的独立电源或电力连接器。独立电源可以与可充电电池或RF接收器一起工作。电力连接器可以具有与机架或设备的一部分连接的插头和插座连接。基板处理器可以用于使待处理的基板13与可移除照明装置51交替地填充机架12。可以在机架移动到反应器中之后接通可移除照明装置。在将机架移出反应室之后，可以从机架中移除所述可移除照明装置51并进行清洁。可移除照明装置形成非常通用的系统。所示出和描述的特定实施方案是对本发明及其最佳模式的说明，而无意以任何方式限制各方面和实施方案的范围。事实上，为了简洁起见，系统的常规制造、连接、准备和其它功能方面可能未详细描述。此外，各图中所示的连接线旨在表示各种元件之间的示例性功能关系和或物理联接。许多另选的或附加的功能关系或物理连接可能存在于实际的系统中，和或在一些实施方案中可能不存在。应该理解，本文描述的配置和或方法本质上是示例性的，并且这些具体实施例或实例不被认为是限制性的，因为许多变化是可能的。本文描述的具体例程或方法可以表示各种处理策略中的一个或多个。因此，所示的各种动作可以以所示的顺序执行、以其它顺序执行或者在一些情况下可以省略。本公开的主题包含本文公开的各种过程、系统和配置以及其它特征、功能、动作和或特性及其任何和所有等效物的所有新颖和非显而易见的组合和子组合。

权利要求：1.一种被构造成用于在基板处理系统的反应室中保持多个基板的基板机架，所述基板机架包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板，其中所述基板机架包括照明系统，所述照明系统被构造和布置成将具有100至500纳米范围的紫外辐射辐射到在所述基板保持装置中保持的所述基板中的至少一个的顶表面上。2.根据权利要求1所述的机架，其中所述机架的所述基板保持装置被构造和布置成保持所述基板中的所述至少一个的所述顶表面与所述照明系统的辐射输出表面相对，以便将紫外辐射辐射到所述基板中的所述至少一个的所述顶表面上。3.根据权利要求1所述的机架，其中所述照明系统包括设置在所述支架上的多个照明装置，并且每个照明装置具有在所述机架上的专用基板保持装置，以将所述基板中的一个的所述顶表面保持在所述照明装置的所述辐射中。4.根据权利要求3所述的机架，其中所述机架上的所述专用基板保持装置被配置成将一个基板保持在两个照明装置之间。5.根据权利要求3所述的机架，其中所述照明装置包括具有顶表面和背表面的基本上板形状，并且所述背表面包括辐射输出表面。6.根据权利要求3所述的机架，其中所述照明装置在平行于所述顶表面的方向上具有与所述基板基本上相同的大小。7.根据权利要求3所述的机架，其中所述照明装置设置有照明源，所述照射源将紫外辐射照射到所述基板机架中的所述基板中的至少一个的所述顶表面上。8.根据权利要求7所述的机架，其中所述照明装置包括第一发光二极管，用于照射100至500纳米范围内的紫外辐射。9.根据权利要求7所述的机架，其中所述照明装置包括第二发光二极管，用于照射700纳米至1毫米范围内的红外辐射以对所述基板加热。10.根据权利要求1所述的机架，其中所述照明系统是无源的，并且被构造和布置成将辐射从所述机架外部引导至所述基板。11.根据权利要求1所述的机架，其中所述照明系统包括光波导，以将所述辐射引导至所述基板。12.根据权利要求11所述的机架，其中所述光波导是光纤。13.根据权利要求1所述的机架，其中所述照明系统设置有辐射反射表面，以将所述紫外辐射引导至所述基板。14.根据权利要求13所述的机架，其中所述辐射反射表面包括选自包括玻璃、钢、铝或聚四氟乙烯PTFE的材料组的材料，以将所述辐射引导至所述基板。15.根据权利要求13所述的机架，其中所述辐射反射表面包括散射板，以将所述辐射散射到所述基板。16.根据权利要求1所述的机架，其中所述照明系统被构造和布置成在与垂直于所述基板中的所述至少一个的所述顶表面的轴线成0至45度的方向上引导所述辐射。17.根据权利要求1所述的机架，其中所述机架设置有电力连接，并且所述照明系统是有源的且被构造和布置成从所述电力产生辐射并将所述辐射引导至所述基板。18.根据权利要求17所述的机架，其中所述照明系统包括放电灯。19.根据权利要求1所述的机架，其中所述机架设置有气体供应系统，用于在辐射透射或反射表面上提供气流。20.根据权利要求2所述的机架，其中所述照明系统包括多个部分以将紫外辐射从多个侧照射到所述基板机架中的所述基板。21.根据权利要求1所述的机架，其中所述机架被构造和布置成在反应室中移动。22.一种基板处理系统，其包括：反应室，所述反应室被构造和布置成处理根据权利要求1所述的机架中的多个基板；以及机架处理器，所述机架处理器被构造和布置成将所述机架移动到所述反应室中。23.根据权利要求22所述的基板处理系统，其中所述系统包括旋转装置，用于使具有基板的所述机架围绕所述反应室中的竖直轴线旋转。24.根据权利要求22所述的基板处理系统，其中所述反应室受到处理管的限制，并且所述系统包括UV辐射系统，所述UV辐射系统被构造和布置成通过所述处理管将所述紫外辐射照射到所述反应室中以到达所述机架的所述照明系统，并且所述照明系统是无源的，并且被构造和布置成将辐射从所述机架外部引导至所述基板。25.根据权利要求22所述的基板处理系统，其中所述机架设置有电力连接，所述电力连接电连接到所述基板处理系统的其余部分以向所述机架供应能量。26.一种基板处理方法，其包括：在基板机架中提供多个基板，所述基板机架包括多个间隔开的基板保持装置，所述基板保持装置被配置成以间隔开的关系保持所述多个基板；在反应室中移动具有基板的所述机架；以及将具有100至500纳米范围的紫外辐射从设置在所述机架上的照明系统照射到所述基板机架中保持的所述基板中的至少一个的顶表面。27.根据权利要求26所述的基板处理方法，其中将紫外辐射照射到所述基板机架中的所述基板包括经由辐射透射或反射表面将所述紫外辐射引导至所述基板。28.根据权利要求26所述的基板处理方法，其中所述方法包括经由入口将流体提供到所述反应室中。29.根据权利要求28所述的基板处理方法，其中所述方法包括经由所述入口将具有前体的流体提供到所述反应室中以在所述基板上沉积层。30.根据权利要求28所述的基板处理方法，其中所述方法包括在所述反应室中提供氧化流体，以便氧化沉积在所述辐射透射或反射表面上的层以改进所述辐射透射或反射表面的透射率。31.根据权利要求28所述的基板处理方法，其中所述方法包括在所述反应室中提供蚀刻流体，以便蚀刻沉积在所述辐射透射或反射表面上的层以改进所述辐射透射或反射表面的透射率。

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