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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开基于InP衬底与HEMT工艺兼容的肖特基二极管及其制备方法，涉及太赫兹单片技术领域，用于解决现有技术中无法在同一工艺下实现二极管和晶体管的单片集成的问题。包括：衬底；叠置于衬底上的有源区以及栅极；有源区在栅极两侧形成源区和漏区；源区与漏区之间通过金属线互连；以及栅极上形成的栅帽。本发明的技术方案基于HEMT工艺的肖特基二极管，其晶体管中源极和漏极连接在一起并形成阴极，通过InP基HEMT器件的源漏短接实现肖特基二极管结构，从而实现混频器与低噪放与功放的工艺集成，实现在同一工艺下二极管和晶体管的单片集成。
主权项：1.基于InP衬底与HEMT工艺兼容的肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；叠置于所述衬底上的有源区以及栅极；所述有源区在所述栅极两侧形成源区和漏区；所述源区与所述漏区之间通过金属线互连；以及所述栅极上形成的栅帽。
全文数据：
权利要求：
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