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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法，包括提供衬底，衬底表面形成有外延层，在外延层上形成图案化的硬质掩膜层；以硬质掩膜层为掩膜，对外延层进行刻蚀，在外延层中形成沟槽；淀积介质层，将沟槽完全填充，然后对介质层进行第一次回刻；对沟槽的侧壁进行阱注入；对介质层进行第二次回刻，保留位于沟槽底部的介质层；在沟槽中形成栅介质层和多晶硅，并进行阱推进，在沟槽的侧壁形成阱区；对阱区进行离子注入形成源区；淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；对接触孔底部进行肖特基注入形成肖特基接触。本发明采用沟槽内介质层填充后分步回刻，分别实现仅在沟槽侧壁阱区的接触孔肖特基结构和底部厚氧化层结构，提升开关速度的同时提升恢复速度。
主权项：1.一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底表面形成有外延层，在所述外延层上形成图案化的硬质掩膜层；步骤二、以所述硬质掩膜层为掩膜，对所述外延层进行刻蚀，在所述外延层中形成沟槽；步骤三、淀积介质层，将所述沟槽完全填充，然后对所述介质层进行第一次回刻；步骤四、对所述沟槽的侧壁进行阱注入；步骤五、对所述介质层进行第二次回刻，保留位于所述沟槽底部的所述介质层；步骤六、在所述沟槽中形成栅介质层和多晶硅，并进行阱推进，在所述沟槽的侧壁形成阱区；步骤七、对所述阱区进行离子注入形成源区；步骤八、淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；步骤九、对所述接触孔底部进行肖特基注入形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法
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