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申请/专利权人：英特尔公司

摘要：实施例包括器件和方法，包括一种器件，包括：包括半导体的衬底，所述衬底包括包括有源元件的正面和与所述正面相对的背面。所述器件包括背面上的电介质层；以及在背面上的电介质层上的无源部件。在特定实施例中，无源器件形成在自组装单层SAM上。描述和要求保护了其他实施例。

主权项：1.一种电子器件装置，包括：包括半导体的衬底，所述衬底包括正面和与所述正面相对的背面，所述正面包括有源元件；所述背面上的电介质层；所述背面上的所述电介质层上的无源部件；以及结合到所述电介质层的自组装单层SAM，所述自组装单层设置在所述无源部件和所述电介质层之间。

全文数据：包括管芯背面上的结构的系统级封装架构技术领域[0001]本文描述的实施例涉及包括系统级封装架构的设备以及形成包括系统级封装架构的设备的过程，所述过程包括在系统级封装架构的背面形成结构。背景技术[0002]电子组件可以包括堆叠的管芯组件，所述堆叠的管芯组件包括其上堆叠有第二管芯的第一管芯。底部管芯可以包括从管芯的正有源面穿过管芯厚度延伸到管芯的背面的贯穿衬底过孔TSV。第二管芯可堆叠在管芯的背面上，并且信号可以通过TSV在第一管芯和第二管芯之间传播。包括使用旋涂电介质的光刻方法已被用于形成TSV，并且用于在管芯的电耦合到堆叠管芯的背面上形成电连接。附图说明[0003]参照附图通过举例的方式来描述实施例，在附图中类似的附图标记可以指代相似的元件。[0004]图1A-1G示出了根据特定实施例的组件的形成。[0005]图2示出根据特定实施例的操作的流程图。[0006]图3示出了根据特定实施例的在衬底上形成自组装单层的特定操作。[0007]图4示出了根据特定实施例的耦合到图3的自组装单层的催化剂。[0008]图5示出了根据特定实施例的耦合到图4的自组装单层的金属。[0009]图6A-6B示出了根据特定实施例的包括在其上形成的多个结构的衬底。[0010]图7示出了实施例可以在其中得到应用的电子系统布置。具体实施方式[0011]说明书中对“实施例”、“特定实施例”、“一实施例”等的引用指示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括该特定特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定是指相同的实施例。特定实施例涉及包括诸如半导体管芯的衬底的器件的形成，该半导体管芯包括形成在其背面上的包括但不限于无源器件的结构。[0012]特定实施例涉及用于S0P系统级封装）的架构和堆叠管芯结构，包括在管芯的背面上层叠（laminate电介质层，使用诸如自组装单层SAM辅助构造工艺的工艺来形成包括但不限于用于RF和模拟应用的无源元件的结构，以及在背面电路上扇出再分布层RDL。管芯可以包括穿过其延伸的TSV。传统工艺利用光刻技术来形成TSV以及管芯背面上的RDL。另外，背面上的大部分区域既没有被充分利用，也没有针对RF和模拟电路中的使用而被优化。实施例包括用于形成优化管芯背面的使用的结构的架构和工艺。[0013]图1A示出了根据特定实施例的处理流程。该结构包括诸如管芯10的衬底，管芯1〇包括从正面14延伸到背面16的多个TSV12,并且该结构包括在正面14上的多个焊盘18。衬底可以包括:包含但不限于硅、砷化镓、镓亚硝酸盐和玻璃的材料。_4]图化示出了形成再分布层⑽匕以通过TSV12将导电路径分布到背面16上的期望位置。RDL可以包括形成在电介质层20上的导电区域22。取决于期望的RDL方案，可以使用多个电介质和导电层。电介质材料的层20和导电材料的层22可以使用任何合适的工艺形成，所述工艺包括例如针对电介质的l-2um氧化物层的CVD化学气相沉积CVD，以及针对导电材料的对Cu层的镀覆。[0015]图1C示出了在背面上的RDL上形成电介质层24,并且在区域26中执行激光图案化以用于形成自组装单层（SAM以及用于在电介质层24中形成开口28以用于连接到RDL导电区域22。电介质层24可以由包括但不限于诸如环氧树脂或其它树脂的聚合物例如可层叠的内建膜或液晶聚合物）的材料形成。在特定实施例中，电介质层24包括层叠电介质层。层叠电介质层包括预制的电介质膜，并且可以通过使用粘合剂例如胶或加热并压制在表面上来附着到表面。化学粘合促进剂也可用于将电介质膜附着到另一表面。使用层叠电介质层能够形成相对均匀厚度的电介质层。特定实施例利用厚度为约2微米至约1〇〇微米的层叠电介质层。在特定实施例中，可以使用多个膜层来构成层叠电介质层。其他类型的电介质层由于高成本CVD和或不能在其区域上形成具有可接受的厚度均匀性的层而可能具有问题。[0016]图1D示出了区域26中的SAM上的导电区域30以及开口28中的导电区域32上的导电区域30的形成。这些导电区域可以使用诸如无电金属沉积的镀覆工艺来形成。可以在管芯的背面上形成各种类型的结构，包括但不限于用于RF和模拟操作的无源结构。图1E示出了图1D中所示的上表面34的俯视图，图1D示出了沿图1E中的线A-A’的横截面图。图1E示出了SAM区域上的导电区域30以及开口28中的导电区域32。导电区域30可以包括电感器。将电感器设置在衬底的背面上的电介质层24上可以具有比设置在衬底的正有源面上的电介质层上更高的Q品质因数），这是由于与有损硅衬底表面的距离增大。导电区域32可以延伸穿过开口28并且包括其上可以耦合另一个管芯或部件的焊盘，如下面结合图1G所描述的。[0017]图1F示出通过设置在管芯10上的焊盘I8上的焊料凸块38将管芯10耦合到封装衬底36。保护性底部填充层40可以设置在管芯和封装衬底36之间。图1G示出了通过焊料连接44将另一管芯42耦合到组件，所述焊料连接44设置在充当衬底10背面上的结合焊盘的导电区域32上。保护性底部填充层46可设置在附加管芯42和衬底10的背面上的电介质层24之间。通过将诸如无源元件的结构设置在衬底背面上的堆叠管芯的附近，与将无源元件设置在衬底的正有源面上相比，减小了寄生效应。尽管图1A-1F示出了一个电介质层，但是应该理解，可以形成具有多层导电特征的多个电介质层。[0018]以下讨论用于形成导电区域30的SAM辅助构造工艺的示例。[0019]使用自组装单层SAM辅助构造工艺，可以借助将导电材料通过自组装单层SAM结合到电介质材料而在电介质材料诸如聚合物上形成金属结构。SAM辅助构造工艺可以包括用电磁辐射活化诸如聚合物的电介质材料区域，然后对活化区域进行改性，然后在改性的活化区域上形成SAM，然后使SAM与催化剂反应，然后使之前与催化剂反应的SAM与导电材料反应。在一个实施例中，使用例如电磁辐射活化衬底上的聚合物层的区域。操作还可以包括对活化区域进行改性，在改性的活化层上形成自组装单层，使自组装单层与催化剂反应，以及使催化的自组装单层与金属反应。形成的所得金属结构可以通过催化剂化学结合到自组装单层，并由此结合到下面的电介质材料。[0020]图2示出了根据特定实施例的使用自组装单层SAM辅助构造工艺在诸如图…-①所示的衬底上形成结构的方法的流程图。框101提供包括半导体和期望在其上形成金属化结构的电介质表面区域的衬底。电介质表面区域可以由包括但不限于诸如环氧树脂或其他树脂的层叠电介质聚合物的材料形成。[0021]框103包括通过曝光于例如紫外UV激光辐射的电磁辐射来活化期望的g域。图1C示出了电介质层24上的活化区域26。认为活化用于破坏或以其他方式解离disassociate聚合物层中的键。在特定实施例中，活化可以如下进行。首先，将衬底放置在台上。脉冲波紫外UV激光器连接到伺服机构，该伺服机构控制激光器的至少XZ方向上的机械位置。激光器可以将光束形式的电磁辐射导向检流计，该检流计将光束导引向台上的衬底。在一个实施例中，激光器可以具有355纳米的波长和29安培的0.904瓦的功率。在特定实施例中，光束的宽度可以类似于将在衬底上的聚合物区域上图案化的期望的迹线的宽度。反射镜可以设置在检流计和台之间以准直辐射。该系统可以是计算机控制的，并且可以包括用于定位要处理的区域的特定衬底的图案的制图交换格式DXF文件等。[0022]图2的框105是对活化区域进行改性。在特定实施例中，这可以通过执行水解以在衬底的活化部分上形成富含0H轻基的区域来进行。图3示出了在SAM的形成操作期间图1C所示的器件的一部分的视图，包括具有带有激光活化区域26的电介质层24以及如上所述的以及如图1B所示的在RDL的形成期间沉积的电介质层20的衬底10。可以通过将活化区域26暴露于水中来进行水解，例如通过将该器件或其一部分置于水槽中以例如在如图3所见到的形成富含羟基的区域26’的水解过程中使羟基部分moietry能够与活化区域反应或以其他方式结合。[0023]图2的框107在改性的活化区域上形成自组装单层SAM。特定实施例由例如硅氧烷例如R3Si-〇-SiR3或硅烷醇例如R3SiOH的有机硅化合物形成。在一个实施例中，将有机硅娃氧烧化合物溶解在诸如甲苯、二甲基甲酰胺DMF或己烷的溶剂中，并将其引入到衬底10上的电介质层24上的对水解的活化区域26’进行改性，如图3左侧所见到的。如图3的中央部分所见到的，硅氧烷经历水解以形成多个〇H轻基基团，接着与衬底210的改性的活化区域26’上的羟基部分缩合，以形成自组装单层10SAM，如图3的右侧所见到的。有机硅化合物可以包括适合于与催化剂反应的官能团X。代表性官能团可以包括但不限于用于与例如钯Pd催化剂反应的胺部分、巯基部分和吡啶pyridil部分。[0024]图2的框109是吸收SAM层上的催化剂。这可以通过使SAM层与诸如钯Pd材料的催化剂反应来进行。如上所述，当SAM包括合适的反应性官能团（例如，胺部分、巯基部分、吡啶部分时，SAM可以与催化剂反应。图4中示出了根据特定实施例的钮离子与附着于衬底1〇上的电介质层24的SAM的官能团X的反应。钯在溶液例如，PdCl2中处于氧化态Pd2+。钯离子可以附着到自组装单层的官能团X。结果，钯催化剂反应例如吸收将在衬底10上的电介质层24上的SAM上进行。[0025]图2的框111将金属沉积在催化剂活化区域上以形成所需的结构，诸如图1E中的结构30。图5示出了根据特定实施例的金属与SAM上的钯催化剂的反应，其中钯Pd位于金属M°和SAM的官能团⑻之间。包括SAM的表面可以放置在具有离子形式的金属例如，镍离子、铜离子等和还原剂例如胺、硼烷或次磷酸盐的镀液中。在镀液中的还原剂和电解质之间发生无电氧化-还原氧化还原反应。还原剂被氧化，SAM上的钯被还原。还原的钯用作催化剂，用于将镀液中的金属离子还原成金属以形成第一核，然后形成金属膜，从而导致形成结构的金属化，所述结构包括但不限于具有预定形状和尺寸的无源器件，例如电感器、电容器、滤波器、信号线、短截线和焊盘。在图1D-1F所示的实施例中，使用SAM来形成包括电感器的结构30。[0026]另外，用于形成活化区域26以用于形成SAM的激光器也可以用于在电介质层24中形成开口28。用于形成开口28的激光处理可以在特定方面处理的持续时间等不同于用于形成活化区域26的处理。在特定实施例中，当使用具有激光钻孔的层叠电介质时，开口28和电介质层厚度的纵横比应该为大约1:1。如果使用可光限定的电介质材料，则在特定实施例中该比例可以变得更小，因为这使得能够产生光刻限定的开口。在特定实施例中，开口28的范围可以从几微米到几十微米。[0027]特定实施例允许通过使用移植在活化衬底上的自组装单层SAM而借助无电沉积来形成导电结构，该导电结构可以形成为与其它特征电接触。活化区域可以由衬底上的激光处理的区域限定。SAM能够结合作为金属无电反应和金属沉积的成核点的催化剂离子。将SAM上的成核点暴露于无电镀液允许还原所需的金属离子以形成所需的金属结构。金属的厚度可以基于对镀液的暴露来控制。实际上可以形成任何尺寸或形状的结构。[0028]实施例还可以包括使用如上所述的SAM辅助构造方法来形成多层结构。这可以通过在所形成的金属层上沉积另一个电介质层，然后沉积如上所述的层，以在其上形成另一个金属层来进行，以便形成包括但不限于包括诸如MIM金属绝缘体金属）的电容器的多层部件以及需要接地平面的滤波器或滤波器部件或其他结构的结构。多层结构可以包括其上形成有SAM的特定层和其上不形成SAM的其它层。[0029]图6A示出了衬底的背面上的电介质层的表面134的俯视图，包括可以使用上述的SAM形成和金属沉积操作至少部分地形成的多个结构。所示出的每个结构可以耦合到器件的另一层处或表面134上的其他结构未示出）。所示结构包括：（i具有电极133和135的电容器；（ii包括迹线137、1洲、141和143的分布式滤波器，其具有耦合到迹线137的信号输入部分145和耦合到迹线143的信号输出部分147;iii包括从其延伸的短截线151、153和155的信号迹线149;和（iv用于将另一部件包括但不限于管芯、存储器、传感器、天线、高速收发机以及其他RF射频和非RF元件耦合到其上的焊盘157、159和161。焊盘的数量、尺寸和布局可以根据诸如要耦合到焊盘的部件的占用面积等的因素而变化。如果需要，可以在结构上设置保护性电介质层或焊接掩模。[0030]图册不出了沿着图6A中的线A-A’的横截面图，并且包括设置在表面134上的包括迹线137、139、141、143以及短截线151、155的滤波器。示出了在迹线137、139、141、143上以及在短截线151、155上的保护层185。衬底110可以包括嵌入式接地平面787。[0031]包括如以上实施例中所述而形成的结构的组件可以应用于各种电子部件中。图7示意性地示出了其中可以体现所描述的实施例的方面的电子系统环境的一个示例。其它实施例不需要包括图7中指定的所有特征，并且可以包括图7中未指定的替代特征。图7的系统7〇可以包括至少一个管芯，诸如设置在封装衬底74中的CPU72,然后将其耦合到诸如PCB76例如，主板的衬底。系统70包括存储器区域78,存储器区域78可以包括任何合适的存储器，例如DRAM。一个或多个控制器80a、80b……80n也可以设置在PCB76上。该系统还可以包括部件82、84,部件82、84可以是包括但不限于传感器和天线的任何合适的部件。系统70可以形成有附加部件，包括但不限于储存器88、显示器9〇和网络连接92ACB76上的任何结构可以形成为包括衬底，衬底包括包含自组装单层SAM构造工艺的背面特征，如上所述，自组装单层SAM构造工艺形成SAM层，在所述SAM层上形成诸如无源器件的金属化结构。[0032]系统70可以包括任何合适的计算设备，包括但不限于大型机、服务器、个人计算机、工作站、膝上型电脑、平板电脑、上网本、手持电脑、手持游戏设备、手持娱乐设备例如，MP3活动图像专家组层-3音频播放器）、PDA个人数字助理）、智能电话或其他电话设备无线或有线）、网络设备、虚拟化设备、储存控制器、网络控制器、路由器等。[0033]上面描述的实施例的各种特征可以针对其他实施例来实现，包括装置和方法实施例。也可以修改如实施例中所述的特定操作的顺序。示例中的细节可以在一个或多个实施例中的任何地方使用。[0034]在本说明书中，出于简化本公开内容的目的，将各种特征分组在一起。这一公开方法不应被解释为反映本发明的要求保护的实施例需要比每个权利要求中明确记载的特征更多的特征的意图。相反，如权利要求所反映的，发明主题可以在于少于单个公开实施例的所有特征。因此，权利要求由此被并入到具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例。[0035]尽管本文描述了并且在附图中示出了特定示例性实施例，但是应当理解的是，这些实施例仅仅是说明性的而不是限制性的，并且实施例不限于所示出和描述的特定构造和布置，因为本领域的普通技术人员可以想到修改。诸如“第一”、“第二”等的术语可以在本文中使用，并且不一定表示任何特定的顺序、数量或重要性，而是用于区分一个元件和另一个元件。列举的项目列表并不意味着任何或全部项目是互斥的，除非另有明确指出。除非另有明确指出，否则术语“一”和“一个”是指“一个或多个”。诸如“上”、“下”、“顶”、“底”等术语仅可用于描述性目的而不应被解释为限制性的。实施例可以被制造、使用并且被包含在各种位置和取向中。[0036]示例[0037]以下示例涉及进一步的实施例。示例中的细节可以在一个或多个实施例中的任何地方使用。[0038]示例1是一种电子器件，包括:包括半导体的衬底，所述衬底包括包括有源元件的正面和与所述正面相对的背面;背面上的电介质层；以及在背面上的电介质层上的无源部件。[0039]在示例2中，示例1和3-12中的任何一个的主题可以可选地包括将正面电耦合到背面的多个贯穿衬底过孔TSV。[0040]在示例3中，示例1-2和4-12中的任何一个的主题可以可选地包括延伸穿过电介质层的多个开口以及延伸穿过开口并电耦合到TSV的导电材料。t〇〇41]在示例4中，示例1-3和5-12中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，衬底包括第一管芯，所述装置还包括堆叠在第一管芯上的第二管芯，其中，电介质层位于第一管芯和第二管芯之间。[0042]在示例5中，示例1-4和6_12中的任何一个的主题可以可选地包括:其中，无源部件选自由电感器、电容器、滤波器、信号线、短截线、结合焊盘和天线组成的组。[0043]在示例6中，示例1-5和7-12中的任何一个的主题可以可选地包括:其中，无源部件包括多个结合焊盘，所述结合焊盘被配置为耦合到附加部件。[0044]在示例7中，示例1-6和8-12中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，电介质层包括层叠电介质层。[0045]在示例8中，示例1-7和9-12中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，电介质层包括聚合物。[0046]在不例9中，不例1-8和10-12中的任个的主题可以可选地包括结合到电介质层的自组装单层SAM，所述SAM设置在无源部件和电介质层之间。[0047]在示例10中，示例1-9和11-12中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，所述无源部件包括在所述电介质层上的自组装单层SAM上的金属结构，其中，所述SAM设置在金属结构和电介质层之间。[0048]在示例11中，示例1-10和12中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，所述金属结构包括第一金属和第二金属，所述第二金属包括钯Pd，其中，包括钯的第二金属设置在第一金属和SAM之间。[0049]在示例12中，示例1-11中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，SAM包括第一SAM，并且其中，无源部件包括多层部件，该多层部件包括第一电极、第二电极和所述第一电极和所述第二电极之间的电介质层，其中，所述第一电极设置在所述第一SAM上，其中，所述第一电极和所述第二电极之间的所述电介质层包括附加层叠电介质和设置在所述附加层叠电介质上的第二SAM，并且其中，第二电极设置在所述第二SAM上。[0050]示例13是一种用于形成电子器件的方法，包括:提供衬底，所述衬底包括包括有源元件的正面和与正面相对的背面;将电介质层设置在衬底的背面上；以及将无源部件设置在衬底的背面上的电介质层上。[0051]在示例14中，示例13和15-23中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，衬底设置有将正面电耦合到背面的多个贯穿衬底过孔TSV，所述方法还包括形成延伸穿过电介质层的多个开口，以及将导电材料设置在开口中并电耦合到TSV。[0052]在示例15中，示例13-14和16-23中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，所述衬底包括第一管芯，还包括将第二管芯设置在所述第一管芯上，其中，所述电介质层位于所述第一管芯和所述第二管芯之间。[0053]在示例16中，示例13-15和17-23中的任何一个的主题可以可选地包括将无源部件形成为选自由电容器、电感器和天线组成的组中的结构。[0054]在示例17中，示例13-16和18-23中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，将电介质层设置在背面上包括将多个电介质层设置在背面上。[0055]在示例18中，示例13-17和19-23中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，将电介质层设置在背面包括将层叠电介质层设置在背面上。[0056]在示例I9中，示例13-18和20-23中的任何一个的主题可以可选地包括将自组装单层SAM结合到电介质层，所述SAM位于无源部件和电介质层之间。[0057]在示例2〇中，示例13-19和21-23中的任何一个的主题可以可选地包括形成无源部件以在电介质层上的自组装单层SAM上包括金属结构，其中，所述SAM位于金属结构和电介质层之间。[0058]在示例21中，示例13-20和22-23中的任何一个的主题可以可选地包括形成金属结构以包括第一金属和第二金属，所述第二金属包括钯Pd，其中，包括钯的第二金属位于所述第一金属和所述SAM之间。[0059]在示例22中，示例13-21和23中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，提供无源部件包括在SAM上形成第一电极，在第一电极上形成包括附加SAM的电介质层并在附加SAM上形成第二电极。[0060]在示例23中，示例13-22中的任何一个的主题可以可选地包括将管芯设置为电耦合到衬底，包括设置管芯，使得电介质层位于管芯和衬底之间。[0061]示例24是一种电子器件，包括:包括半导体的衬底，所述衬底包括包括有源元件的正面和与所述正面相对的背面;多个贯穿衬底过孔TSV，延伸穿过衬底并电耦合衬底的正面和背面;在背面上的再分布层，再分布层包括耦合到TSV的导电区域;背面上的电介质层；延伸穿过所述电介质层的多个开口，所述开口中包括电耦合到所述再分布层的导电材料；电介质层上的自组装单层SAM;以及包括SAM上的金属的无源部件，其中，SAM设置在无源部件和电介质层之间。[0062]在示例25中，示例24和26-31中的任何一个的主题可以可选地包括通过延伸穿过电介质层的开口电耦合到衬底的管芯，其中，电介质层设置在管芯和衬底之间。[0063]在示例26中，示例24-25和27-31中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，无源部件选自由电感器、电容器、滤波器、信号线、短截线、焊盘和天线组成的组。[0064]在示例27中，示例24-26和28-31中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，所述无源部件包括被配置为耦合到附加部件的多个结合焊盘。[0065]在示例28中，示例24-27和29-31中的任何一个的主题可以任选地包括，其中，所述电介质层包括层叠电介质层。[0066]在示例29中，示例24-28和30-31中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，电介质层包括聚合物。[0067]在示例30中，示例24-29和31中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，所述金属包括第一金属和第二金属，所述第二金属包括钯Pd，其中，包括钯的第二金属设置在第一金属和SAM之间。[0068]在示例31中，示例24-30中的任何一个的主题可以可选地包括，其中，SAM包括第一SAM，并且其中，无源部件包括多层部件，该多层部件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的电介质层，其中，所述第一电极设置在所述第一SAM上，其中，所述第一电极和所述第二电极之间的所述电介质层包括附加层叠电介质和设置在所述附加层叠电介质上的第二SAM，并且其中，第二电极设置在所述第二SAM上。[0069]示例32是一种电子器件，包括:衬底，所述衬底包括包括有源元件的正面和与正面相对的背面;用于将电介质层设置在衬底的背面上的模块；以及用于将无源部件设置在衬底的背面上的电介质层上的模块。[0070]示例33是包括用于执行任一前述权利要求所述的方法的模块的装置。

权利要求：1.一种电子器件装置，包括：包括半导体的衬底，所述衬底包括正面和与所述正面相对的背面，所述正面包括有源元件；所述背面上的电介质层；以及所述背面上的所述电介质层上的无源部件。2.根据权利要求1所述的装置，还包括将所述正面电耦合到所述背面的多个贯穿衬底过孔TSV。3.根据权利要求2所述的装置，还包括延伸穿过所述电介质层的多个开口以及延伸穿过所述开口并电耦合到所述TSV的导电材料。4.根据权利要求3所述的装置，其中，衬底包括第一管芯，所述装置还包括堆叠在所述第一管芯上的第二管芯，其中，所述电介质层位于所述第一管芯和所述第二管芯之间。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述无源部件选自由电感器、电容器、滤波器、信号线、短截线、结合焊盘和天线组成的组。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述无源部件包括多个结合焊盘，所述结合焊盘被配置为耦合到附加部件。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电介质层包括层叠电介质层。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电介质层包括聚合物。9.根据权利要求1所述的装置，还包括结合到所述电介质层的自组装单层SAM，所述SAM设置在所述无源部件和所述电介质层之间。10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述无源部件包括在所述电介质层上的自组装单层SAM上的金属结构，其中，所述SAM设置在所述金属结构和所述电介质层之间。11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述金属结构包括第一金属和第二金属，所述第二金属包括钯Pd，其中，包括钯的所述第二金属设置在所述第一金属和所述SAM之间。12.根据权利要求9所述的装置，其中，所述SAM包括第一SAM，并且其中，所述无源部件包括多层部件，所述多层部件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的电介质层，其中，所述第一电极设置在所述第一SAM上，其中，所述第一电极和所述第二电极之间的所述电介质层包括附加层叠电介质和设置在所述附加层叠电介质上的第二SAM，并且其中，所述第二电极设置在所述第二SAM上。13.—种用于形成电子器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括正面和与所述正面相对的背面，所述正面包括有源元件；将电介质层设置在所述衬底的背面上；以及将无源部件设置在所述衬底的背面上的所述电介质层上。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述衬底设置有将所述正面电耦合到所述背面的多个贯穿衬底过孔TSV，所述方法还包括形成延伸穿过所述电介质层的多个开口，以及将导电材料设置在所述开口中并电耦合到所述TSV。15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述衬底包括第一管芯，还包括将第二管芯设置在所述第一管芯上，其中，所述电介质层位于所述第一管芯和所述第二管芯之间。16.根据权利要求13所述的方法，还包括将所述无源部件形成为选自由电容器、电感器和天线组成的组中的结构。17.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述电介质层设置在所述背面上包括将多个电介质层设置在所述背面上。18.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述电介质层设置在所述背面上包括将层叠电介质层设置在所述背面上。19.根据权利要求13所述的方法，包括将自组装单层（SAM结合到所述电介质层，所述SAM位于所述无源部件和所述电介质层之间。20.根据权利要求19所述的方法，包括形成所述无源部件以在所述电介质层上的所述自组装单层SAM上包括金属结构，其中，所述SAM位于所述金属结构和所述电介质层之间。21.根据权利要求20所述的方法，包括形成所述金属结构以包括第一金属和第二金属，所述第二金属包括钯Pd，其中，包括钯的所述第二金属位于所述第一金属和SAM之间。22.根据权利要求19所述的方法，其中，提供无源部件包括在所述SAM上形成第一电极，在所述第一电极上形成包括附加SAM的电介质层，以及在所述附加SAM上形成第二电极。23.根据权利要求19所述的方法，还包括将管芯设置为电耦合到所述衬底，包括设置所述管芯，使得所述电介质层位于所述管芯和所述衬底之间。24.—种电子器件，包括：包括半导体的衬底，所述衬底包括正面和与所述正面相对的背面，所述正面包括有源元件；多个贯穿衬底过孔TSV，延伸穿过所述衬底并电耦合所述衬底的正面和背面；所述背面上的再分布层，所述再分布层包括耦合到所述TSV的导电区域；所述背面上的电介质层；延伸穿过所述电介质层的多个开口，所述开口中包括电耦合到所述再分布层的导电材料；所述电介质层上的自组装单层SAM;以及包括所述SAM上的金属的无源部件，其中，所述SAM设置在所述无源部件和所述电介质层之间。25.根据权利要求24所述的装置，还包括管芯，所述管芯通过延伸穿过所述电介质层的所述开口电耦合到所述衬底，其中，所述电介质层设置在所述管芯和所述衬底之间。

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