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申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
摘要：本发明公开了一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层，所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为多堆结构，发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。本发明通过第一DBR反射层和第二DBR反射层的相互配合，减少芯片向上及向下出光，增加芯片侧向出光，以使芯片正向及侧向发光强度趋于相同。此外，本发明的第一DBR反射层覆盖在发光结构正面还可以作为保护层，从而节省一道氧化硅绝缘层沉积工艺，进而缩短制程时间及节约制造成本。
主权项：1.一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层；所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为三堆结构；所述第一DBR反射层的反射光谱中，反射率大于80％的波长宽度范围为150～350nm；所述第二DBR反射层的反射光谱中，反射率大于95％的波长宽度范围为200～450nm；发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同；所述第二DBR反射层依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构，其中，第一堆结构的单堆光学厚度＞第二堆结构的单堆光学厚度＞第三堆结构的单堆光学厚度，其中，入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构；第一堆结构的各层光学厚度为1.0～1.4*λ，第二堆结构的各层光学厚度为0.9～1.0*λ，第三堆结构的各层光学厚度为0.7～0.9*λ，其中，λ为发光结构发出的光的中心波长的四分之一；所述第一DBR反射层的各层光学厚度为λ；所述第一DBR反射层和第二DBR反射层由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。
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