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申请/专利权人：日立能源有限公司
摘要：一种用于将端子4附接至用于半导体功率模块10的金属衬底结构3的方法，包括提供至少一个端子4以及提供金属衬底结构3，该金属衬底结构具有金属顶层17、金属底层19和布置在金属顶层17与金属底层19之间的绝缘树脂层18。该方法进一步包括通过利用激光束6进行激光焊接而将至少一个端子4联接至金属衬底结构3的金属顶层17。
主权项：1.一种用于将端子4附接至用于半导体功率模块10的金属衬底结构3的方法，包括：-提供至少一个端子4，-提供金属衬底结构3，所述金属衬底结构具有金属顶层17、金属底层19和布置在所述金属顶层17与所述金属底层19之间的绝缘树脂层18，其中，所述金属顶层17由具有至少一个突出部的一体件制成，所述至少一个突出部具有给定局部增强厚度，所述给定局部增强厚度比所述金属顶层17的相邻区域厚0.5mm直至2.0mm并且形成在所述金属顶层17的顶表面171上的被配置为联接至所述至少一个端子4的位置处，以及-通过利用激光束6进行激光焊接而将所述至少一个端子4联接至所述金属衬底结构3的金属顶层17的突出部。
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百度查询： 日立能源有限公司 金属衬底结构和将端子附接至用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法以及半导体功率模块
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