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一种集成电路用金属碱性蚀刻液及其制备方法 

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申请/专利权人:江苏中德电子材料科技有限公司

摘要:本发明涉及一种集成电路用的用于蚀刻铜的碱性蚀刻液,其包含氯化铜、乙醇胺和水;更特别地,涉及一种集成电路用的用于蚀刻铜的碱性蚀刻液,其包含氯化铜、乙醇胺、β‑丙氨酸和水,其中乙醇胺与β‑丙氨酸在碱性蚀刻液中的比例为12:1至8:1,优选为10:1。

主权项:1.一种集成电路用的用于蚀刻铜的碱性蚀刻液,其包含氯化铜、乙醇胺和水;其还包含β-丙氨酸,其中乙醇胺与β-丙氨酸在碱性蚀刻液中的摩尔比例为12:1至8:1;其中乙醇胺与β-丙氨酸在碱性蚀刻液中的质量比例为10:1;氯化铜的浓度为150gL-220gL,乙醇胺的浓度为3molL-6molL。

全文数据:

权利要求:

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