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申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司
摘要：本发明提供了一种一种IGZO‑TFTLCD阵列基板的制备方法及其结构，包括下述步骤：在玻璃基板上依次制备一栅极电极层、一第一绝缘层及一IGZO层；对部分IGZO层进行激光处理使其结晶导体化，让其作为像素电极层，未进行激光退火技术处理的IGZO层作为半导体层；对第一绝缘层进行开DC孔；源漏电极层与半导体层和像素电极层直接搭接，通过DC孔与栅极电极层搭接；对第二绝缘层和第一绝缘层进行开深孔使栅极电极层裸露，形成PV孔；在第二绝缘层上制备一公共电极层，且公共电极层通过PV孔与栅极电极层搭接。本发明在于减少Mask工艺数量，节约成本及简化工艺；降低绝缘层总厚度，提高面板透过率；避免绝缘层开深浅孔工艺，减少金属过蚀刻及腐蚀风险。
主权项：1.一种IGZO-TFTLCD阵列基板的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：S1、玻璃基板包括有驱动电路区、Vcom走线区及显示区，在所述玻璃基板上依次制备一栅极电极层、一第一绝缘层及一IGZO层，所述IGZO层分布在驱动电路区和显示区；S2、通过激光退火技术对位于所述显示区上的部分IGZO层进行激光处理使其结晶导体化，让其作为像素电极层，剩余未进行激光退火技术处理的IGZO层作为半导体层；S3、在Vcom走线区通过DC光罩对所述第一绝缘层进行开浅孔，形成DC孔；S4、在所述第一绝缘层上依次制备一源漏电极层和一第二绝缘层，所述源漏电极层与半导体层和像素电极层直接搭接，位于Vcom走线区通过DC孔与栅极电极层搭接；S5、在Vcom走线区通过PV光罩对第二绝缘层和第一绝缘层进行开深孔使栅极电极层裸露，形成PV孔；S6、在所述第二绝缘层上制备一公共电极层，所述公共电极层位于Vcom走线区和显示区，且所述公共电极层通过所述PV孔与所述栅极电极层搭接。
全文数据：
权利要求：
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