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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种具有强量子限域量子阱结构的半导体激光器芯片，从下至上依次包括：从下至上依次包括：衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层；其中，所述有源层为强量子限域量子阱结构；所述强量子限域量子阱结构，包括：第一垒层、第一阱层和第二垒层；所述第一垒层的共价键能具有倒V型分布，所述第一阱层的共价键能分布具有V型分布；所述第一垒层的共价键能分布具有函数y＝Ax2+Bx+C曲线分布，所述第一阱层的共价键能分布具有函数y＝Dx2+Ex+F曲线分布；所述第二垒层的共价键能分布具有函数y＝lnx‑x曲线分布。本发明能够提升半导体激光器芯片的光电转换效率。
主权项：1.一种具有强量子限域量子阱结构的半导体激光器芯片，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层；其中，所述有源层为强量子限域量子阱结构；所述强量子限域量子阱结构，包括：第一垒层、第一阱层和第二垒层；所述第一垒层的共价键能具有倒V型分布，所述第一阱层的共价键能分布具有V型分布；所述第一垒层的共价键能分布具有函数y＝Ax2+Bx+C曲线分布，所述第一阱层的共价键能分布具有函数y＝Dx2+Ex+F曲线分布；所述第二垒层的共价键能分布具有函数y＝lnx-x曲线分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有强量子限域量子阱结构的半导体激光器芯片
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