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申请/专利权人：中国科学院电工研究所;国网上海市电力公司
摘要：本发明公开了一种半导体杂散电感测试电路及控制方法，测试电路由直流电源Vdc、支撑电容Cdc、辅助开关管QU、辅助二极管DL、负载电感Lload和单管型被测器件DUT‑s组成；本发明通过将被测件的控制电极施加恒定正电压，使其始终保持正向导通状态，再通过串联一个辅助二极管阻断了被测件内部的反向通流路径，从而使电流从被测件的正向流通，实现了对被测件正向回路内部杂散电感的测量，克服了现有技术只能测量反向回路杂散电感的不足，可以给IGBT芯片或MOSFET芯片的瞬态过程分析，提供更精确的杂感测量数据。
主权项：1.一种半导体杂散电感测试电路，其特征在于，测试电路在被测器件的门极施加正电压，使其始终保持正向导通状态，实现对被测器件杂散电感的测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院电工研究所 国网上海市电力公司 一种半导体杂散电感测试电路及控制方法
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